半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
4期
378-382
,共5页
HCI/NBTI%寿命%置信区间%管控图%显著性差异
HCI/NBTI%壽命%置信區間%管控圖%顯著性差異
HCI/NBTI%수명%치신구간%관공도%현저성차이
热载流子注入(hot carrier injection,HCI)效应和负偏压温度不稳定性(negative biastemperature instability,NBTI)是集成电路中重要的前段器件工艺可靠性测试项目.通过引入工业统计学,详细讨论了在不同工艺制造情况或测试环境下HCI/NBTI效应可靠性差异的比较方法.这些对于HCI/NBTI测试比较方法的总结,有利于合理分析工艺可靠性测试结果,协助晶圆生产部门找出失效机理,不断改善工艺制程并保持工艺的稳定性.
熱載流子註入(hot carrier injection,HCI)效應和負偏壓溫度不穩定性(negative biastemperature instability,NBTI)是集成電路中重要的前段器件工藝可靠性測試項目.通過引入工業統計學,詳細討論瞭在不同工藝製造情況或測試環境下HCI/NBTI效應可靠性差異的比較方法.這些對于HCI/NBTI測試比較方法的總結,有利于閤理分析工藝可靠性測試結果,協助晶圓生產部門找齣失效機理,不斷改善工藝製程併保持工藝的穩定性.
열재류자주입(hot carrier injection,HCI)효응화부편압온도불은정성(negative biastemperature instability,NBTI)시집성전로중중요적전단기건공예가고성측시항목.통과인입공업통계학,상세토론료재불동공예제조정황혹측시배경하HCI/NBTI효응가고성차이적비교방법.저사대우HCI/NBTI측시비교방법적총결,유리우합리분석공예가고성측시결과,협조정원생산부문조출실효궤리,불단개선공예제정병보지공예적은정성.
