传感器与微系统
傳感器與微繫統
전감기여미계통
TRANSDUCER AND MICROSYSTEM TECHNOLOGY
2010年
10期
49-51
,共3页
张圣%焦继伟%葛道晗%顾佳晔%严培力%张颖
張聖%焦繼偉%葛道晗%顧佳曄%嚴培力%張穎
장골%초계위%갈도함%고가엽%엄배력%장영
边缘效应%电化学腐蚀%机械应力%SU8光刻胶
邊緣效應%電化學腐蝕%機械應力%SU8光刻膠
변연효응%전화학부식%궤계응력%SU8광각효
多孔硅在微电子机械系统(MEMS)、生物等领域得到了广泛的研究,边缘效应是其进入应用的难题之一,边缘效应的存在会导致多孔硅薄膜机械强度的降低,进而影响整个多孔硅薄膜的一致性.在n型和P型2种硅晶片上,研究了电化学腐蚀中常见的多孔硅边缘效应,分析了边缘效应的产生机制,分别使用SU8光刻胶掩模法和边缘区域施加压力法对边缘效应进行了有效的抑制.并在不同类型的硅晶片上,使用压力法制备出了无边缘效应的宏孔多孔硅膜,P型多孔硅膜厚达到250μm.
多孔硅在微電子機械繫統(MEMS)、生物等領域得到瞭廣汎的研究,邊緣效應是其進入應用的難題之一,邊緣效應的存在會導緻多孔硅薄膜機械彊度的降低,進而影響整箇多孔硅薄膜的一緻性.在n型和P型2種硅晶片上,研究瞭電化學腐蝕中常見的多孔硅邊緣效應,分析瞭邊緣效應的產生機製,分彆使用SU8光刻膠掩模法和邊緣區域施加壓力法對邊緣效應進行瞭有效的抑製.併在不同類型的硅晶片上,使用壓力法製備齣瞭無邊緣效應的宏孔多孔硅膜,P型多孔硅膜厚達到250μm.
다공규재미전자궤계계통(MEMS)、생물등영역득도료엄범적연구,변연효응시기진입응용적난제지일,변연효응적존재회도치다공규박막궤계강도적강저,진이영향정개다공규박막적일치성.재n형화P형2충규정편상,연구료전화학부식중상견적다공규변연효응,분석료변연효응적산생궤제,분별사용SU8광각효엄모법화변연구역시가압역법대변연효응진행료유효적억제.병재불동류형적규정편상,사용압역법제비출료무변연효응적굉공다공규막,P형다공규막후체도250μm.
