以SiCl4为源气体用PECVD技术低温快速生长多晶硅薄膜
이SiCl4위원기체용PECVD기술저온쾌속생장다정규박막
Study of fast growth of polycrystalline silicon film from SiCl4/H2 by PCVD at low-temperature
  • 万方数据
    功能材料 공능재료
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
    2004年 5期 613-614,617 ,共3页

    黄锐%林璇英%余云鹏%林揆训%姚若河%黄文勇%魏俊红%王照奎%余楚迎

    황예%림선영%여운붕%림규훈%요약하%황문용%위준홍%왕조규%여초영

    多晶硅薄膜%SiCl4%生长速率%晶化度 多晶硅薄膜%SiCl4%生長速率%晶化度
    다정규박막%SiCl4%생장속솔%정화도
    报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜.实验发现, 生长速率强烈依赖于放电功率、H2/SiCl4流量比和衬底温度, 而薄膜的晶化度只依赖于放电功率和H2/SiCl4流量比,与衬底温度的关系不大.通过控制和选择工艺条件,我们获得了生长速率高达0.35nm/s,晶化度高于75%的多晶硅薄膜.薄膜的暗电导率和光电导率分别达到10-4S-1·cm-1和10-3S-1·cm-1.
    보도료이SiCl4화H2위기원,용등리자체증강화학기상침적기술,재소우300℃적저온하쾌속생장다정규박막.실험발현, 생장속솔강렬의뢰우방전공솔、H2/SiCl4류량비화츤저온도, 이박막적정화도지의뢰우방전공솔화H2/SiCl4류량비,여츤저온도적관계불대.통과공제화선택공예조건,아문획득료생장속솔고체0.35nm/s,정화도고우75%적다정규박막.박막적암전도솔화광전도솔분별체도10-4S-1·cm-1화10-3S-1·cm-1.
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