半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
11期
1500-1504
,共5页
樊中朝%余金中%陈少武%杨笛%严清峰%王良臣
樊中朝%餘金中%陳少武%楊笛%嚴清峰%王良臣
번중조%여금중%진소무%양적%엄청봉%왕량신
SOI%ICP%粗糙度%脊形光波导
SOI%ICP%粗糙度%脊形光波導
SOI%ICP%조조도%척형광파도
研究了以C4F8/SF6/O2为刻蚀气体,利用ICP刻蚀技术制作SOI脊形光波导过程中,刻蚀参数与侧壁粗糙度的关系.实验结果表明偏压、气体比例、压强是影响侧壁粗糙度的关键参数,在低偏压、低C4F8/SF6比和较高压强下更容易获得低粗糙度的侧壁.通过优化刻蚀参数,获得了侧壁粗糙度和传输损耗相对较低的SOI脊形波导.
研究瞭以C4F8/SF6/O2為刻蝕氣體,利用ICP刻蝕技術製作SOI脊形光波導過程中,刻蝕參數與側壁粗糙度的關繫.實驗結果錶明偏壓、氣體比例、壓彊是影響側壁粗糙度的關鍵參數,在低偏壓、低C4F8/SF6比和較高壓彊下更容易穫得低粗糙度的側壁.通過優化刻蝕參數,穫得瞭側壁粗糙度和傳輸損耗相對較低的SOI脊形波導.
연구료이C4F8/SF6/O2위각식기체,이용ICP각식기술제작SOI척형광파도과정중,각식삼수여측벽조조도적관계.실험결과표명편압、기체비례、압강시영향측벽조조도적관건삼수,재저편압、저C4F8/SF6비화교고압강하경용역획득저조조도적측벽.통과우화각식삼수,획득료측벽조조도화전수손모상대교저적SOI척형파도.
