电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2005年
3期
51-53
,共3页
陆红霞%曹洁明%马贤佳%侯海涛%冯杰%徐国跃
陸紅霞%曹潔明%馬賢佳%侯海濤%馮傑%徐國躍
륙홍하%조길명%마현가%후해도%풍걸%서국약
半导体材料%氮化铝%多孔%合成%光致发光
半導體材料%氮化鋁%多孔%閤成%光緻髮光
반도체재료%담화려%다공%합성%광치발광
在低温常压下,以液相法直接合成了氮化铝孔状材料.通过一系列的表征对其形貌和光学性能作了简要的分析.实验结果表明:合成的氮化铝孔状材料立方相和六方相同时存在;其孔径为200～800 nm;比表面积为170 m2·g-1;在样品的PL谱中,在475 nm处的一个强的发射峰是由氮空位引起的,在550 nm处的宽而弱的峰是由AlN本征缺陷和颗粒的表面效应引起的.
在低溫常壓下,以液相法直接閤成瞭氮化鋁孔狀材料.通過一繫列的錶徵對其形貌和光學性能作瞭簡要的分析.實驗結果錶明:閤成的氮化鋁孔狀材料立方相和六方相同時存在;其孔徑為200～800 nm;比錶麵積為170 m2·g-1;在樣品的PL譜中,在475 nm處的一箇彊的髮射峰是由氮空位引起的,在550 nm處的寬而弱的峰是由AlN本徵缺陷和顆粒的錶麵效應引起的.
재저온상압하,이액상법직접합성료담화려공상재료.통과일계렬적표정대기형모화광학성능작료간요적분석.실험결과표명:합성적담화려공상재료립방상화륙방상동시존재;기공경위200～800 nm;비표면적위170 m2·g-1;재양품적PL보중,재475 nm처적일개강적발사봉시유담공위인기적,재550 nm처적관이약적봉시유AlN본정결함화과립적표면효응인기적.
