半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
7期
1480-1484
,共5页
倾斜照明%成像干涉光刻技术%离轴照明技术%光刻技术
傾斜照明%成像榦涉光刻技術%離軸照明技術%光刻技術
경사조명%성상간섭광각기술%리축조명기술%광각기술
作为分辨率增强技术(RET)之一,离轴照明技术(OAI)通过调整照明方式,不但能提高分辨率还能很好地改善焦深.成像干涉光刻技术(ⅡL)利用多次曝光分别记录物体空间频率的不同部分,极大地提高了成像质量,其中大角度倾斜照明是对OAI的扩展.从成像原理和频域范围的角度对ⅡL和OAI进行了理论研究、计算模拟和对比分析.结果表明,在同样条件下,ⅡL相对于OAI可更好地分辨细微特征.
作為分辨率增彊技術(RET)之一,離軸照明技術(OAI)通過調整照明方式,不但能提高分辨率還能很好地改善焦深.成像榦涉光刻技術(ⅡL)利用多次曝光分彆記錄物體空間頻率的不同部分,極大地提高瞭成像質量,其中大角度傾斜照明是對OAI的擴展.從成像原理和頻域範圍的角度對ⅡL和OAI進行瞭理論研究、計算模擬和對比分析.結果錶明,在同樣條件下,ⅡL相對于OAI可更好地分辨細微特徵.
작위분변솔증강기술(RET)지일,리축조명기술(OAI)통과조정조명방식,불단능제고분변솔환능흔호지개선초심.성상간섭광각기술(ⅡL)이용다차폭광분별기록물체공간빈솔적불동부분,겁대지제고료성상질량,기중대각도경사조명시대OAI적확전.종성상원리화빈역범위적각도대ⅡL화OAI진행료이론연구、계산모의화대비분석.결과표명,재동양조건하,ⅡL상대우OAI가경호지분변세미특정.
