半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2006年
8期
561-564
,共4页
闫志瑞%鲁进军%李耀东%王继%林霖
閆誌瑞%魯進軍%李耀東%王繼%林霖
염지서%로진군%리요동%왕계%림림
化学机械抛光%超大规模集成电路%硅片%双面抛光
化學機械拋光%超大規模集成電路%硅片%雙麵拋光
화학궤계포광%초대규모집성전로%규편%쌍면포광
化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生产中采用了双面化学机械抛光技术.对双面化学机械抛光的优点以及系统变量对抛光速度和抛光质量的影响进行了详细地分析.
化學機械拋光是單晶硅襯底和集成電路製造中的關鍵技術之一,然而,傳統的化學機械拋光技術還存在一定的缺點或跼限性,為瞭得到更好的硅片平整度和錶麵潔淨度,在300mm硅片的生產中採用瞭雙麵化學機械拋光技術.對雙麵化學機械拋光的優點以及繫統變量對拋光速度和拋光質量的影響進行瞭詳細地分析.
화학궤계포광시단정규츤저화집성전로제조중적관건기술지일,연이,전통적화학궤계포광기술환존재일정적결점혹국한성,위료득도경호적규편평정도화표면길정도,재300mm규편적생산중채용료쌍면화학궤계포광기술.대쌍면화학궤계포광적우점이급계통변량대포광속도화포광질량적영향진행료상세지분석.
