蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长
람보석츤저상단정InAlGaN외연막적RF-MBE생장
RF-MBE Growth of InAlGaN Epilayer on Sapphire Substrate
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2006年 8期 1382-1385 ,共4页

    王保柱%王晓亮%王晓燕%王新华%郭伦春%肖红领%王军喜%刘宏新%曾一平%李晋闽

    왕보주%왕효량%왕효연%왕신화%곽륜춘%초홍령%왕군희%류굉신%증일평%리진민

    RF-MBE%铟铝镓氮%RHEED%XRD%AFM RF-MBE%銦鋁鎵氮%RHEED%XRD%AFM
    RF-MBE%인려가담%RHEED%XRD%AFM
    利用射频等离子体辅助分子束外延技术在蓝宝石衬底上外延了晶体质量较好的单晶InAlGaN薄膜.在生长InAlGaN外延层时,获得了外延膜的二维生长.卢瑟福背散射测量结果表明,InAlGaN外延层中In,Al和Ga的组分分别为2%,22%和76%,并且元素的深度分布比较均匀.InAlGaN(0002)三晶X射线衍射摇摆曲线的半高宽为4.8′.通过原子力显微镜观察外延膜表面存在小山丘状的突起和一些小坑,测量得到外延膜表面的均方根粗糙度为2.2nm.利用光电导谱测量InAlGaN的带隙为3.76eV.
    이용사빈등리자체보조분자속외연기술재람보석츤저상외연료정체질량교호적단정InAlGaN박막.재생장InAlGaN외연층시,획득료외연막적이유생장.로슬복배산사측량결과표명,InAlGaN외연층중In,Al화Ga적조분분별위2%,22%화76%,병차원소적심도분포비교균균.InAlGaN(0002)삼정X사선연사요파곡선적반고관위4.8′.통과원자력현미경관찰외연막표면존재소산구상적돌기화일사소갱,측량득도외연막표면적균방근조조도위2.2nm.이용광전도보측량InAlGaN적대극위3.76eV.
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