微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2007年
5期
241-245
,共5页
于忠玺%高善民%张江%陈健%曲荣君
于忠璽%高善民%張江%陳健%麯榮君
우충새%고선민%장강%진건%곡영군
掺锡氧化铟薄膜%光学性能%方块电阻
摻錫氧化銦薄膜%光學性能%方塊電阻
참석양화인박막%광학성능%방괴전조
采用溶胶-凝胶旋转涂膜工艺,在普通玻璃基片上制备了掺锡氧化铟(ITO)纳米透明导电薄膜.采用紫外-可见透射光谱和四探针技术,研究了不同Sn掺杂量、不同热处理温度和热处理时间以及不同涂层对薄膜光学和电学性能的影响.结果表明薄膜的方块电阻随Sn掺杂量的增大和热处理温度的升高先降低后增加,在适宜的温度范围内薄膜在可见光区平均透过率随热处理温度升高而增加.在一定的温度下,随着热处理时间的延长,ITO薄膜的方块电阻先降低后增加,透射率先增加后降低.在最佳工艺条件下,采用溶胶-凝胶法制备的ITO薄膜平均可见光透过率达86%,薄膜方阻为322 Ω/□.
採用溶膠-凝膠鏇轉塗膜工藝,在普通玻璃基片上製備瞭摻錫氧化銦(ITO)納米透明導電薄膜.採用紫外-可見透射光譜和四探針技術,研究瞭不同Sn摻雜量、不同熱處理溫度和熱處理時間以及不同塗層對薄膜光學和電學性能的影響.結果錶明薄膜的方塊電阻隨Sn摻雜量的增大和熱處理溫度的升高先降低後增加,在適宜的溫度範圍內薄膜在可見光區平均透過率隨熱處理溫度升高而增加.在一定的溫度下,隨著熱處理時間的延長,ITO薄膜的方塊電阻先降低後增加,透射率先增加後降低.在最佳工藝條件下,採用溶膠-凝膠法製備的ITO薄膜平均可見光透過率達86%,薄膜方阻為322 Ω/□.
채용용효-응효선전도막공예,재보통파리기편상제비료참석양화인(ITO)납미투명도전박막.채용자외-가견투사광보화사탐침기술,연구료불동Sn참잡량、불동열처리온도화열처리시간이급불동도층대박막광학화전학성능적영향.결과표명박막적방괴전조수Sn참잡량적증대화열처리온도적승고선강저후증가,재괄의적온도범위내박막재가견광구평균투과솔수열처리온도승고이증가.재일정적온도하,수착열처리시간적연장,ITO박막적방괴전조선강저후증가,투사솔선증가후강저.재최가공예조건하,채용용효-응효법제비적ITO박막평균가견광투과솔체86%,박막방조위322 Ω/□.
