微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2008年
2期
197-200
,共4页
阮勇%任天令%谢丹%林惠旺%刘理天
阮勇%任天令%謝丹%林惠旺%劉理天
원용%임천령%사단%림혜왕%류리천
MOCVD%PZT%压电%铁电
MOCVD%PZT%壓電%鐵電
MOCVD%PZT%압전%철전
采用直接液体输运-金属氧化物化学气相淀积技术(DLI-MOCVD),制备Pb (ZrxTi1-x)O3(PZT)薄膜;通过研究MOCVD中影响PZT质量的主要工艺参数,如温度、压力、系统的气体流量(Ar、O2)、衬底转速、蠕动泵速等,制备不同组分PZT薄膜;给出了不同衬底的PZT淀积结果.PZT薄膜的均匀性大于±5%,尺寸为25～200 mm,厚度50～500 nm.经XRD测试,可得PZT薄膜已形成钙钛矿结构.SEM分析也表明,制备出的PZT表面致密均匀.
採用直接液體輸運-金屬氧化物化學氣相澱積技術(DLI-MOCVD),製備Pb (ZrxTi1-x)O3(PZT)薄膜;通過研究MOCVD中影響PZT質量的主要工藝參數,如溫度、壓力、繫統的氣體流量(Ar、O2)、襯底轉速、蠕動泵速等,製備不同組分PZT薄膜;給齣瞭不同襯底的PZT澱積結果.PZT薄膜的均勻性大于±5%,呎吋為25～200 mm,厚度50～500 nm.經XRD測試,可得PZT薄膜已形成鈣鈦礦結構.SEM分析也錶明,製備齣的PZT錶麵緻密均勻.
채용직접액체수운-금속양화물화학기상정적기술(DLI-MOCVD),제비Pb (ZrxTi1-x)O3(PZT)박막;통과연구MOCVD중영향PZT질량적주요공예삼수,여온도、압력、계통적기체류량(Ar、O2)、츤저전속、연동빙속등,제비불동조분PZT박막;급출료불동츤저적PZT정적결과.PZT박막적균균성대우±5%,척촌위25～200 mm,후도50～500 nm.경XRD측시,가득PZT박막이형성개태광결구.SEM분석야표명,제비출적PZT표면치밀균균.
