半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
11期
1016-1019
,共4页
张伟%刘玉岭%孙薇%唐文栋%宗思邈%李咸珍%侯丽辉
張偉%劉玉嶺%孫薇%唐文棟%宗思邈%李鹹珍%侯麗輝
장위%류옥령%손미%당문동%종사막%리함진%후려휘
锑化铟%磨料%双氧水%化学机械抛光
銻化銦%磨料%雙氧水%化學機械拋光
제화인%마료%쌍양수%화학궤계포광
InSb由于硬度低、脆性大等特性,其材料表面的精密加工水平成为制约器件性能进一步提高的重要因素.采用化学机械抛光(CMP)技术对InSb进行表面加工,分析了CMP过程中抛光液的磨料质量分数和氧化剂含量对InSb的CMP效果的影响规律,实验研究了磨料和氧化剂(H2O2)的优化配比参数,并在此参数下,获得了良好的抛光表面.
InSb由于硬度低、脆性大等特性,其材料錶麵的精密加工水平成為製約器件性能進一步提高的重要因素.採用化學機械拋光(CMP)技術對InSb進行錶麵加工,分析瞭CMP過程中拋光液的磨料質量分數和氧化劑含量對InSb的CMP效果的影響規律,實驗研究瞭磨料和氧化劑(H2O2)的優化配比參數,併在此參數下,穫得瞭良好的拋光錶麵.
InSb유우경도저、취성대등특성,기재료표면적정밀가공수평성위제약기건성능진일보제고적중요인소.채용화학궤계포광(CMP)기술대InSb진행표면가공,분석료CMP과정중포광액적마료질량분수화양화제함량대InSb적CMP효과적영향규률,실험연구료마료화양화제(H2O2)적우화배비삼수,병재차삼수하,획득료량호적포광표면.
