半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
5期
515-518
,共4页
低温度系数%带隙基准源%曲线补偿
低溫度繫數%帶隙基準源%麯線補償
저온도계수%대극기준원%곡선보상
设计了一种基于电流模式的低温度系数参考电压源,并采用具有不同温度系数的电阻来补偿三极管的基极-发射极电压的温度特性非线性,设计了2.5 V参考电压源.同时采用高精度的电流镜结构,来减小电路的非理想因素对参考源温度特性的影响.该电路通过0.5 μm CMOS混合信号工艺流片,测试结果表明,该方法有效地补偿了基极一发射极电压的非线性,在0～100℃具有1×10-5/℃的温度系数.
設計瞭一種基于電流模式的低溫度繫數參攷電壓源,併採用具有不同溫度繫數的電阻來補償三極管的基極-髮射極電壓的溫度特性非線性,設計瞭2.5 V參攷電壓源.同時採用高精度的電流鏡結構,來減小電路的非理想因素對參攷源溫度特性的影響.該電路通過0.5 μm CMOS混閤信號工藝流片,測試結果錶明,該方法有效地補償瞭基極一髮射極電壓的非線性,在0～100℃具有1×10-5/℃的溫度繫數.
설계료일충기우전류모식적저온도계수삼고전압원,병채용구유불동온도계수적전조래보상삼겁관적기겁-발사겁전압적온도특성비선성,설계료2.5 V삼고전압원.동시채용고정도적전류경결구,래감소전로적비이상인소대삼고원온도특성적영향.해전로통과0.5 μm CMOS혼합신호공예류편,측시결과표명,해방법유효지보상료기겁일발사겁전압적비선성,재0～100℃구유1×10-5/℃적온도계수.
