固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
4期
367-370
,共4页
林邦惜%唐吉玉%肖化%谌静%杨述东%张国芳%周福成
林邦惜%唐吉玉%肖化%諶靜%楊述東%張國芳%週福成
림방석%당길옥%초화%심정%양술동%장국방%주복성
光子晶体%传输矩阵法%透射率%完全透射峰
光子晶體%傳輸矩陣法%透射率%完全透射峰
광자정체%전수구진법%투사솔%완전투사봉
用传输矩阵法推导了一维光子晶体的透射率公式,研究了[Si(30 nm)/C60(70 nm)N体系当电磁波沿z方向入射时不同周期层数的透射特性.结果表明,当周期数达16时在325～585 nm波段内的透射率基本为零且电磁波损耗最低仅为1％；而在585～825 nm波段存在多个完全透射峰,其半峰宽随波长增加而增加.改变掠射角也对TE和TM偏振模的透射率产生不同的影响.此结构在可见波段的双重透射特性,可用于制备一些新型的光学器件.
用傳輸矩陣法推導瞭一維光子晶體的透射率公式,研究瞭[Si(30 nm)/C60(70 nm)N體繫噹電磁波沿z方嚮入射時不同週期層數的透射特性.結果錶明,噹週期數達16時在325～585 nm波段內的透射率基本為零且電磁波損耗最低僅為1％；而在585～825 nm波段存在多箇完全透射峰,其半峰寬隨波長增加而增加.改變掠射角也對TE和TM偏振模的透射率產生不同的影響.此結構在可見波段的雙重透射特性,可用于製備一些新型的光學器件.
용전수구진법추도료일유광자정체적투사솔공식,연구료[Si(30 nm)/C60(70 nm)N체계당전자파연z방향입사시불동주기층수적투사특성.결과표명,당주기수체16시재325～585 nm파단내적투사솔기본위령차전자파손모최저부위1％；이재585～825 nm파단존재다개완전투사봉,기반봉관수파장증가이증가.개변략사각야대TE화TM편진모적투사솔산생불동적영향.차결구재가견파단적쌍중투사특성,가용우제비일사신형적광학기건.
