半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
8期
582-585
,共4页
何彦刚%王家喜%甘小伟%李伟娟%刘玉岭
何彥剛%王傢喜%甘小偉%李偉娟%劉玉嶺
하언강%왕가희%감소위%리위연%류옥령
抛光液%铜%化学机械抛光%去除速率%表面形态
拋光液%銅%化學機械拋光%去除速率%錶麵形態
포광액%동%화학궤계포광%거제속솔%표면형태
在分析碱性Cu化学机械抛光液作用机理的基础上,考察了抛光液对铜晶圆电化学、表面形态、化学机械抛光去除速率等性能.结果发现:选用新研制的络合剂R(NH2)n,将Cu的氧化物、氢氧化物转化为可溶性络合Cu,实现了碱性抛光液中Cu的去除.同时发现,随着碱性抛光液质量分数的增加,淀积Cu层不仅易被腐蚀,腐蚀速率也有所增加,并且当抛光液质量分数达到63.7％(Cu3),会对Cu的腐蚀起到抑制作用.抛光后表面形态分析说明此碱性化学机械抛光液能有效改善晶圆表面粗糙度,且对Cu层平均去除速率是酸性商用抛光液的4～5倍.
在分析堿性Cu化學機械拋光液作用機理的基礎上,攷察瞭拋光液對銅晶圓電化學、錶麵形態、化學機械拋光去除速率等性能.結果髮現:選用新研製的絡閤劑R(NH2)n,將Cu的氧化物、氫氧化物轉化為可溶性絡閤Cu,實現瞭堿性拋光液中Cu的去除.同時髮現,隨著堿性拋光液質量分數的增加,澱積Cu層不僅易被腐蝕,腐蝕速率也有所增加,併且噹拋光液質量分數達到63.7％(Cu3),會對Cu的腐蝕起到抑製作用.拋光後錶麵形態分析說明此堿性化學機械拋光液能有效改善晶圓錶麵粗糙度,且對Cu層平均去除速率是痠性商用拋光液的4～5倍.
재분석감성Cu화학궤계포광액작용궤리적기출상,고찰료포광액대동정원전화학、표면형태、화학궤계포광거제속솔등성능.결과발현:선용신연제적락합제R(NH2)n,장Cu적양화물、경양화물전화위가용성락합Cu,실현료감성포광액중Cu적거제.동시발현,수착감성포광액질량분수적증가,정적Cu층불부역피부식,부식속솔야유소증가,병차당포광액질량분수체도63.7％(Cu3),회대Cu적부식기도억제작용.포광후표면형태분석설명차감성화학궤계포광액능유효개선정원표면조조도,차대Cu층평균거제속솔시산성상용포광액적4～5배.
