东南大学学报（自然科学版）
東南大學學報（自然科學版）
동남대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SOUTHEAST UNIVERSITY
2012年
4期
614-617
,共4页
周云波%于宗光%封晴%胡凯
週雲波%于宗光%封晴%鬍凱
주운파%우종광%봉청%호개
高压器件%ONO型反熔丝%FPGA
高壓器件%ONO型反鎔絲%FPGA
고압기건%ONO형반용사%FPGA
描述了一种与ONO反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)匹配的高压nMOSFET的设计.该器件采用中国电子科技集团公司第五十八研究所晶圆的1.0 μm 2P2M ONO反熔丝工艺生产实现.该工艺中,通过一次离子注入和高温推进实现了深结HVNwell；通过将高压注入与栅极多晶保持0.2 μm的间距解决了增加结深、提高速度与降低穿通击穿电压的矛盾；通过一次离子注入实现了高压nMOSFET阈值电压的调整.测试结果表明:高压nMOSFET的击穿电压达到21 ～23 V,远大于ONO反熔丝13.5 V的编程电压；饱和电流为4.32 mA,与工艺改进前相比饱和电流明显增大,工作速度得到提升,满足反熔丝FPGA工作频率的要求；阈值电压为0.78 V,与常压器件兼容.
描述瞭一種與ONO反鎔絲現場可編程門陣列(FPGA)匹配的高壓nMOSFET的設計.該器件採用中國電子科技集糰公司第五十八研究所晶圓的1.0 μm 2P2M ONO反鎔絲工藝生產實現.該工藝中,通過一次離子註入和高溫推進實現瞭深結HVNwell；通過將高壓註入與柵極多晶保持0.2 μm的間距解決瞭增加結深、提高速度與降低穿通擊穿電壓的矛盾；通過一次離子註入實現瞭高壓nMOSFET閾值電壓的調整.測試結果錶明:高壓nMOSFET的擊穿電壓達到21 ～23 V,遠大于ONO反鎔絲13.5 V的編程電壓；飽和電流為4.32 mA,與工藝改進前相比飽和電流明顯增大,工作速度得到提升,滿足反鎔絲FPGA工作頻率的要求；閾值電壓為0.78 V,與常壓器件兼容.
묘술료일충여ONO반용사현장가편정문진렬(FPGA)필배적고압nMOSFET적설계.해기건채용중국전자과기집단공사제오십팔연구소정원적1.0 μm 2P2M ONO반용사공예생산실현.해공예중,통과일차리자주입화고온추진실현료심결HVNwell；통과장고압주입여책겁다정보지0.2 μm적간거해결료증가결심、제고속도여강저천통격천전압적모순；통과일차리자주입실현료고압nMOSFET역치전압적조정.측시결과표명:고압nMOSFET적격천전압체도21 ～23 V,원대우ONO반용사13.5 V적편정전압；포화전류위4.32 mA,여공예개진전상비포화전류명현증대,공작속도득도제승,만족반용사FPGA공작빈솔적요구；역치전압위0.78 V,여상압기건겸용.
