GaAs/AlAs/GaAs氧化前后的微结构表征
GaAs/AlAs/GaAs양화전후적미결구표정
Microstructure of GaAs/AlAs/GaAs with and without oxidation
  • 万方数据
    核技术 핵기술
    NUCLEAR TECHNIQUES
    2002年 10期 775-778 ,共4页

    王勇%贾海强%王文充%刘翠秀%陈向明%麦振洪%郑文莉%贾全杰%姜晓明

    왕용%가해강%왕문충%류취수%진향명%맥진홍%정문리%가전걸%강효명

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    GaAs/AlAs/GaAs%양화%미결구
    研究了GaAs/AlAs/GaAs三层膜氧化前后成分和微结构的变化.对GaAs/AlAs/GaAs利用横向氧化的方式得到了GaAs/Al2O3/GaAs薄膜,利用X射线小角反射和高角衍射技术进行了微结构表征.结果表明,氧化前GaAs/AlAs/GaAs结构中,AlAs层与表面GaAs之间存在着一层110的均匀过渡层.AlAs层分成厚度为40和1050的两层,而40厚的AlAs层的平均原子密度比1050厚的减小.利用横向氧化的方式使得AlAs完全氧化为Al2O3,而且与氧化前相比,其过渡层的厚度与粗糙度均减小.
    연구료GaAs/AlAs/GaAs삼층막양화전후성분화미결구적변화.대GaAs/AlAs/GaAs이용횡향양화적방식득도료GaAs/Al2O3/GaAs박막,이용X사선소각반사화고각연사기술진행료미결구표정.결과표명,양화전GaAs/AlAs/GaAs결구중,AlAs층여표면GaAs지간존재착일층110적균균과도층.AlAs층분성후도위40화1050적량층,이40후적AlAs층적평균원자밀도비1050후적감소.이용횡향양화적방식사득AlAs완전양화위Al2O3,이차여양화전상비,기과도층적후도여조조도균감소.
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