物理学报
物理學報
물이학보
2007年
2期
1105-1109
,共5页
舒斌%张鹤鸣%胡辉勇%宣荣喜%戴显英
舒斌%張鶴鳴%鬍輝勇%宣榮喜%戴顯英
서빈%장학명%호휘용%선영희%대현영
SiGe/Si异质结%电荷注入晶体管%二维空穴气%隧道效应
SiGe/Si異質結%電荷註入晶體管%二維空穴氣%隧道效應
SiGe/Si이질결%전하주입정체관%이유공혈기%수도효응
为了能直观地体现SiGe/Si电荷注入晶体管的收集极电流与漏源电压的关系,利用输入端SiGe/Si量子阱中二维空穴气的隧道模型,建立起此类器件的输入输出数学模型,并利用MATLAB软件对所建模型进行了模拟,结果显示在漏源电压约为1.5 V时,漏电流出现较强的负微分电阻效应,与文献报道结果符合.
為瞭能直觀地體現SiGe/Si電荷註入晶體管的收集極電流與漏源電壓的關繫,利用輸入耑SiGe/Si量子阱中二維空穴氣的隧道模型,建立起此類器件的輸入輸齣數學模型,併利用MATLAB軟件對所建模型進行瞭模擬,結果顯示在漏源電壓約為1.5 V時,漏電流齣現較彊的負微分電阻效應,與文獻報道結果符閤.
위료능직관지체현SiGe/Si전하주입정체관적수집겁전류여루원전압적관계,이용수입단SiGe/Si양자정중이유공혈기적수도모형,건립기차류기건적수입수출수학모형,병이용MATLAB연건대소건모형진행료모의,결과현시재루원전압약위1.5 V시,루전류출현교강적부미분전조효응,여문헌보도결과부합.
