工业控制计算机
工業控製計算機
공업공제계산궤
INDUSTRY CONTROL COMPUTER
2012年
3期
112-113
,共2页
选择比%电感耦合等离子体%干法刻蚀%偏置功率
選擇比%電感耦閤等離子體%榦法刻蝕%偏置功率
선택비%전감우합등리자체%간법각식%편치공솔
在干法刻蚀GaN时使用AZ-4620作为掩膜层,为了在较快的GaN刻蚀速率下获得良好的GaN/AZ-4620刻蚀选择比,使用电感耦合等离子刻蚀机(ICP),运用Cl2和BCl3作为刻蚀气体,改变气体总流量、直流自偏压、ICP功率、气体组分等工艺条件,并讨论了这些因素对GaN/AZ-4620刻蚀选择比以及对GaN刻蚀速率的影响.实验结果获得了GaN在刻蚀速率为225nm/min时的GaN/AZ-4620选择比为0.92,可以应用于实际生产.
在榦法刻蝕GaN時使用AZ-4620作為掩膜層,為瞭在較快的GaN刻蝕速率下穫得良好的GaN/AZ-4620刻蝕選擇比,使用電感耦閤等離子刻蝕機(ICP),運用Cl2和BCl3作為刻蝕氣體,改變氣體總流量、直流自偏壓、ICP功率、氣體組分等工藝條件,併討論瞭這些因素對GaN/AZ-4620刻蝕選擇比以及對GaN刻蝕速率的影響.實驗結果穫得瞭GaN在刻蝕速率為225nm/min時的GaN/AZ-4620選擇比為0.92,可以應用于實際生產.
재간법각식GaN시사용AZ-4620작위엄막층,위료재교쾌적GaN각식속솔하획득량호적GaN/AZ-4620각식선택비,사용전감우합등리자각식궤(ICP),운용Cl2화BCl3작위각식기체,개변기체총류량、직류자편압、ICP공솔、기체조분등공예조건,병토론료저사인소대GaN/AZ-4620각식선택비이급대GaN각식속솔적영향.실험결과획득료GaN재각식속솔위225nm/min시적GaN/AZ-4620선택비위0.92,가이응용우실제생산.
