兰州大学学报（自然科学版）
蘭州大學學報（自然科學版）
란주대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF LANZHOU UNIVERSITY（NATURAL SCIENCES）
2004年
5期
31-33
,共3页
李公平%何山虎%丁宝卫%张小东%丁印锋%包良满%刘正民%朱德彰
李公平%何山虎%丁寶衛%張小東%丁印鋒%包良滿%劉正民%硃德彰
리공평%하산호%정보위%장소동%정인봉%포량만%류정민%주덕창
铜团簇束沉积%单晶硅%薄膜形貌%薄膜方块电阻
銅糰簇束沉積%單晶硅%薄膜形貌%薄膜方塊電阻
동단족속침적%단정규%박막형모%박막방괴전조
用一种新型磁控溅射气体凝聚团簇源产生Cu-n(n是簇原子个数)团簇束,当团簇束分别在偏压Va为0,1,3,5,10 kV的电场中加速后,在真空中,沉积在室温下的P-Si(111)衬底上,获得Cu/P-Si(111)薄膜样品.用AFM分析表明:当Va≥3 kV时,团簇束成膜,膜表面的粗糙度比常规磁控溅射小,且随Va增加,粗糙度减小.用四探针测薄膜方块电阻,经归一化后可知:团簇束沉积,当Va≤3 kV时,薄膜方块电阻大于常规磁控溅射的方块电阻,当Va≥5 kV时薄膜方块电阻已小于常规磁控溅射方块电阻;对于团簇束沉积,薄膜方块电阻随沉积偏压Va的增加而减小.
用一種新型磁控濺射氣體凝聚糰簇源產生Cu-n(n是簇原子箇數)糰簇束,噹糰簇束分彆在偏壓Va為0,1,3,5,10 kV的電場中加速後,在真空中,沉積在室溫下的P-Si(111)襯底上,穫得Cu/P-Si(111)薄膜樣品.用AFM分析錶明:噹Va≥3 kV時,糰簇束成膜,膜錶麵的粗糙度比常規磁控濺射小,且隨Va增加,粗糙度減小.用四探針測薄膜方塊電阻,經歸一化後可知:糰簇束沉積,噹Va≤3 kV時,薄膜方塊電阻大于常規磁控濺射的方塊電阻,噹Va≥5 kV時薄膜方塊電阻已小于常規磁控濺射方塊電阻;對于糰簇束沉積,薄膜方塊電阻隨沉積偏壓Va的增加而減小.
용일충신형자공천사기체응취단족원산생Cu-n(n시족원자개수)단족속,당단족속분별재편압Va위0,1,3,5,10 kV적전장중가속후,재진공중,침적재실온하적P-Si(111)츤저상,획득Cu/P-Si(111)박막양품.용AFM분석표명:당Va≥3 kV시,단족속성막,막표면적조조도비상규자공천사소,차수Va증가,조조도감소.용사탐침측박막방괴전조,경귀일화후가지:단족속침적,당Va≤3 kV시,박막방괴전조대우상규자공천사적방괴전조,당Va≥5 kV시박막방괴전조이소우상규자공천사방괴전조;대우단족속침적,박막방괴전조수침적편압Va적증가이감소.
