微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2005年
2期
163-168
,共6页
周晓强%凌惠琴%毛大立%李明
週曉彊%凌惠琴%毛大立%李明
주효강%릉혜금%모대립%리명
MOSFET%微电子材料%高介电常数%栅极电介质%伪二元合金
MOSFET%微電子材料%高介電常數%柵極電介質%偽二元閤金
MOSFET%미전자재료%고개전상수%책겁전개질%위이원합금
随着微电子技术的飞速发展,半导体器件的特征尺寸按摩尔定律不断缩小.SiO2作为MOSFET的栅介质材料已不能满足技术发展的需求.为此,应用于下一代MOSFET的高介电常数栅介质材料已成为当今微电子材料的研究热点.文章介绍了高k材料抑制隧穿效应影响的原理及其应当满足的各项性能指标,并对其研究动态和存在的问题进行了阐述,指出了最有可能成为下一代MOSFET栅介质的几种高k材料.
隨著微電子技術的飛速髮展,半導體器件的特徵呎吋按摩爾定律不斷縮小.SiO2作為MOSFET的柵介質材料已不能滿足技術髮展的需求.為此,應用于下一代MOSFET的高介電常數柵介質材料已成為噹今微電子材料的研究熱點.文章介紹瞭高k材料抑製隧穿效應影響的原理及其應噹滿足的各項性能指標,併對其研究動態和存在的問題進行瞭闡述,指齣瞭最有可能成為下一代MOSFET柵介質的幾種高k材料.
수착미전자기술적비속발전,반도체기건적특정척촌안마이정률불단축소.SiO2작위MOSFET적책개질재료이불능만족기술발전적수구.위차,응용우하일대MOSFET적고개전상수책개질재료이성위당금미전자재료적연구열점.문장개소료고k재료억제수천효응영향적원리급기응당만족적각항성능지표,병대기연구동태화존재적문제진행료천술,지출료최유가능성위하일대MOSFET책개질적궤충고k재료.
