光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2006年
2期
221-223
,共3页
颜国君%陈光德%邱复生%Zhaoyan Fan
顏國君%陳光德%邱複生%Zhaoyan Fan
안국군%진광덕%구복생%Zhaoyan Fan
AIN薄膜%透射谱%吸收谱%禁带带宽%自由激子
AIN薄膜%透射譜%吸收譜%禁帶帶寬%自由激子
AIN박막%투사보%흡수보%금대대관%자유격자
分别使用X衍射仪和紫外(190 nm～800 nm)分光光度仪,测量了用分子束外延法生长在SiC(001)基底面上的AIN薄膜的X衍射、透射谱和不同温度下的吸收谱.X衍射表明:实验所用的AIN薄膜在c-轴存在应变和应力,该应变和应力主要是由于AIN的晶格常量与基底SiC的晶格常量不匹配所致.透射谱表明:AIN薄膜的禁带宽度大约为 6.2 eV;而其对应的吸收谱在 6.2 eV处存在一个明显的台阶,此台阶被认为是AIN薄膜中的带边自由激子吸收所产生,忽略激子的结合能(与禁带宽度相比),则该值就对应为AIN的禁带宽度.而其对应的不同温度下(10 k～293 k)的吸收谱的谱线的形状和位置无明显的变化表明:温度对AIN薄膜的禁带宽度亦无明显的影响,这主要是由于在AIN薄膜中存在着应力所致.
分彆使用X衍射儀和紫外(190 nm～800 nm)分光光度儀,測量瞭用分子束外延法生長在SiC(001)基底麵上的AIN薄膜的X衍射、透射譜和不同溫度下的吸收譜.X衍射錶明:實驗所用的AIN薄膜在c-軸存在應變和應力,該應變和應力主要是由于AIN的晶格常量與基底SiC的晶格常量不匹配所緻.透射譜錶明:AIN薄膜的禁帶寬度大約為 6.2 eV;而其對應的吸收譜在 6.2 eV處存在一箇明顯的檯階,此檯階被認為是AIN薄膜中的帶邊自由激子吸收所產生,忽略激子的結閤能(與禁帶寬度相比),則該值就對應為AIN的禁帶寬度.而其對應的不同溫度下(10 k～293 k)的吸收譜的譜線的形狀和位置無明顯的變化錶明:溫度對AIN薄膜的禁帶寬度亦無明顯的影響,這主要是由于在AIN薄膜中存在著應力所緻.
분별사용X연사의화자외(190 nm～800 nm)분광광도의,측량료용분자속외연법생장재SiC(001)기저면상적AIN박막적X연사、투사보화불동온도하적흡수보.X연사표명:실험소용적AIN박막재c-축존재응변화응력,해응변화응력주요시유우AIN적정격상량여기저SiC적정격상량불필배소치.투사보표명:AIN박막적금대관도대약위 6.2 eV;이기대응적흡수보재 6.2 eV처존재일개명현적태계,차태계피인위시AIN박막중적대변자유격자흡수소산생,홀략격자적결합능(여금대관도상비),칙해치취대응위AIN적금대관도.이기대응적불동온도하(10 k～293 k)적흡수보적보선적형상화위치무명현적변화표명:온도대AIN박막적금대관도역무명현적영향,저주요시유우재AIN박막중존재착응력소치.
