半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
8期
1453-1457
,共5页
张超艳%刘庆纲%李敏%匡登峰%郭维廉%张世林%胡小唐
張超豔%劉慶綱%李敏%劻登峰%郭維廉%張世林%鬍小唐
장초염%류경강%리민%광등봉%곽유렴%장세림%호소당
AFM阳极氧化%氧化钛线%隧道结%大气湿度%超高速光导开关
AFM暘極氧化%氧化鈦線%隧道結%大氣濕度%超高速光導開關
AFM양겁양화%양화태선%수도결%대기습도%초고속광도개관
在新型超高速光导开关的研究中,采用AFM阳极氧化加工方法,加工利用磁控溅射方法在GaAs衬底得到的厚约3nm的钛膜,形成纳米级氧化钛线.该Ti-TiOx-Ti形成MIM隧道结作为光导开关的基本结构,并且TiO x作为电子的能量势垒.为说明氧化线的宽度对隧穿现象的影响,确定加工超高速光导开关时不引起隧穿的最窄线宽及其实验条件,通过控制空气中的相对湿度,在加工速度、氧气浓度和偏置电压不变的条件下,加工出宽度分别为15.6,34.2和46.9nm的钛氧化线,测试了不同宽度氧化线隧道结的I-V特性.结果表明,在两电极的偏压为6V时不引起隧穿的前提下,可以在超高速光导开关两电极间加工最小宽度大约为10nm的氧化钛线.
在新型超高速光導開關的研究中,採用AFM暘極氧化加工方法,加工利用磁控濺射方法在GaAs襯底得到的厚約3nm的鈦膜,形成納米級氧化鈦線.該Ti-TiOx-Ti形成MIM隧道結作為光導開關的基本結構,併且TiO x作為電子的能量勢壘.為說明氧化線的寬度對隧穿現象的影響,確定加工超高速光導開關時不引起隧穿的最窄線寬及其實驗條件,通過控製空氣中的相對濕度,在加工速度、氧氣濃度和偏置電壓不變的條件下,加工齣寬度分彆為15.6,34.2和46.9nm的鈦氧化線,測試瞭不同寬度氧化線隧道結的I-V特性.結果錶明,在兩電極的偏壓為6V時不引起隧穿的前提下,可以在超高速光導開關兩電極間加工最小寬度大約為10nm的氧化鈦線.
재신형초고속광도개관적연구중,채용AFM양겁양화가공방법,가공이용자공천사방법재GaAs츤저득도적후약3nm적태막,형성납미급양화태선.해Ti-TiOx-Ti형성MIM수도결작위광도개관적기본결구,병차TiO x작위전자적능량세루.위설명양화선적관도대수천현상적영향,학정가공초고속광도개관시불인기수천적최착선관급기실험조건,통과공제공기중적상대습도,재가공속도、양기농도화편치전압불변적조건하,가공출관도분별위15.6,34.2화46.9nm적태양화선,측시료불동관도양화선수도결적I-V특성.결과표명,재량전겁적편압위6V시불인기수천적전제하,가이재초고속광도개관량전겁간가공최소관도대약위10nm적양화태선.
