电子技术
電子技術
전자기술
ELECTRONIC TECHNOLOGY
2007年
11期
127-128
,共2页
栅极氧化层%ANSYS%HPM%MOS器件
柵極氧化層%ANSYS%HPM%MOS器件
책겁양화층%ANSYS%HPM%MOS기건
随着集成度的不断提高,集成电路的绝缘层越来越薄.如CMOS器件绝缘层的典型厚度约为0.1μm,其相应的耐击穿电压在80～100V间.当器件特征尺寸进人深亚微来时,栅氧化层厚度仅为数纳米,而器件工作的电源电压却不宜降低,这使栅氧化层工作在较高的电场强度下,栅氧化层的抗电性能成为一个突出的问题.往往一个能量不算大的电磁脉冲,就可以让集成电路的栅氧击穿,将直接导致MOS器件的失效.
隨著集成度的不斷提高,集成電路的絕緣層越來越薄.如CMOS器件絕緣層的典型厚度約為0.1μm,其相應的耐擊穿電壓在80～100V間.噹器件特徵呎吋進人深亞微來時,柵氧化層厚度僅為數納米,而器件工作的電源電壓卻不宜降低,這使柵氧化層工作在較高的電場彊度下,柵氧化層的抗電性能成為一箇突齣的問題.往往一箇能量不算大的電磁脈遲,就可以讓集成電路的柵氧擊穿,將直接導緻MOS器件的失效.
수착집성도적불단제고,집성전로적절연층월래월박.여CMOS기건절연층적전형후도약위0.1μm,기상응적내격천전압재80～100V간.당기건특정척촌진인심아미래시,책양화층후도부위수납미,이기건공작적전원전압각불의강저,저사책양화층공작재교고적전장강도하,책양화층적항전성능성위일개돌출적문제.왕왕일개능량불산대적전자맥충,취가이양집성전로적책양격천,장직접도치MOS기건적실효.
