微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
4期
249-252
,共4页
周瑞%张雄文%闫锐%李亚丽%于峰涛%张志国%冯志红
週瑞%張雄文%閆銳%李亞麗%于峰濤%張誌國%馮誌紅
주서%장웅문%염예%리아려%우봉도%장지국%풍지홍
感应耦合等离子体%通孔刻蚀%碳化硅%六氟化硫%倾角
感應耦閤等離子體%通孔刻蝕%碳化硅%六氟化硫%傾角
감응우합등리자체%통공각식%탄화규%륙불화류%경각
介绍了利用ICP设备,使用SF6基气体对4H-SiC衬底进行背面通孔刻蚀的技术.研究了金属刻蚀掩模、刻蚀气体中O2含量的变化、反应室压力、RF功率和ICP功率等各种条件对刻蚀结果产生的影响,重点对刻蚀气体中O2含量和反应室压力两个条件进行了优化.通过对刻蚀结果的分析,得出了适合当前实际工艺的优化条件,实现了厚度为100 μm、直径为70μm的SiC衬底GaN HEMT和单片电路的背面通孔刻蚀,刻蚀速率达700 nm/min,SiC和金属刻蚀选择比达到60:1.通过对工艺条件的优化,刻蚀出倾角为75°～90°的通孔.
介紹瞭利用ICP設備,使用SF6基氣體對4H-SiC襯底進行揹麵通孔刻蝕的技術.研究瞭金屬刻蝕掩模、刻蝕氣體中O2含量的變化、反應室壓力、RF功率和ICP功率等各種條件對刻蝕結果產生的影響,重點對刻蝕氣體中O2含量和反應室壓力兩箇條件進行瞭優化.通過對刻蝕結果的分析,得齣瞭適閤噹前實際工藝的優化條件,實現瞭厚度為100 μm、直徑為70μm的SiC襯底GaN HEMT和單片電路的揹麵通孔刻蝕,刻蝕速率達700 nm/min,SiC和金屬刻蝕選擇比達到60:1.通過對工藝條件的優化,刻蝕齣傾角為75°～90°的通孔.
개소료이용ICP설비,사용SF6기기체대4H-SiC츤저진행배면통공각식적기술.연구료금속각식엄모、각식기체중O2함량적변화、반응실압력、RF공솔화ICP공솔등각충조건대각식결과산생적영향,중점대각식기체중O2함량화반응실압력량개조건진행료우화.통과대각식결과적분석,득출료괄합당전실제공예적우화조건,실현료후도위100 μm、직경위70μm적SiC츤저GaN HEMT화단편전로적배면통공각식,각식속솔체700 nm/min,SiC화금속각식선택비체도60:1.통과대공예조건적우화,각식출경각위75°～90°적통공.
