半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
8期
772-774
,共3页
李晶晶%熊瑛%杨保和%张维佳%申研
李晶晶%熊瑛%楊保和%張維佳%申研
리정정%웅영%양보화%장유가%신연
锗硅异质结双极晶体管%跨导电容%滤波器%高频%回转器
鍺硅異質結雙極晶體管%跨導電容%濾波器%高頻%迴轉器
타규이질결쌍겁정체관%과도전용%려파기%고빈%회전기
采用SiGe异质结双极晶体管,设计了一种具有回转结构的带通跨导-电容滤波器.使用ADS软件进行电路图的仿真分析.研究镜像电流源的集电极电阻R对该滤波器中心频率、输出增益及功耗的影响.分析结果表明,镜像电流源集电极电阻R的调节可以控制镜像电流源的晶体管工作状态和回转电路的偏置电流.因此,要获得更高的中心频率,镜像电流源中直接给跨导单元提供电流的晶体管不用按常规工作在放大区而可以工作在饱和区.对滤波器输出增益和功耗的进一步分析结果表明,以上晶体管工作在饱和区不仅可以提高滤波器的工作频率,还可以提高滤波器的输出增益,但是也会同时增加滤波器的功耗.
採用SiGe異質結雙極晶體管,設計瞭一種具有迴轉結構的帶通跨導-電容濾波器.使用ADS軟件進行電路圖的倣真分析.研究鏡像電流源的集電極電阻R對該濾波器中心頻率、輸齣增益及功耗的影響.分析結果錶明,鏡像電流源集電極電阻R的調節可以控製鏡像電流源的晶體管工作狀態和迴轉電路的偏置電流.因此,要穫得更高的中心頻率,鏡像電流源中直接給跨導單元提供電流的晶體管不用按常規工作在放大區而可以工作在飽和區.對濾波器輸齣增益和功耗的進一步分析結果錶明,以上晶體管工作在飽和區不僅可以提高濾波器的工作頻率,還可以提高濾波器的輸齣增益,但是也會同時增加濾波器的功耗.
채용SiGe이질결쌍겁정체관,설계료일충구유회전결구적대통과도-전용려파기.사용ADS연건진행전로도적방진분석.연구경상전류원적집전겁전조R대해려파기중심빈솔、수출증익급공모적영향.분석결과표명,경상전류원집전겁전조R적조절가이공제경상전류원적정체관공작상태화회전전로적편치전류.인차,요획득경고적중심빈솔,경상전류원중직접급과도단원제공전류적정체관불용안상규공작재방대구이가이공작재포화구.대려파기수출증익화공모적진일보분석결과표명,이상정체관공작재포화구불부가이제고려파기적공작빈솔,환가이제고려파기적수출증익,단시야회동시증가려파기적공모.
