CAJ | 학술논문

用KrF准分子脉冲激光沉积(PLD)法,以石英为衬底,在300 ℃～600℃制备了MgZnO薄膜.由拉曼光谱仪、AFM、UV/vis分光光度计对薄膜进行表征,结果表明,在600 ℃制备薄膜有最大的禁带宽度3.78 eV,以及最好的结晶质量.在此薄膜上镀上Al电极制备紫外传感器,测量了传感器的的I-V曲线、光谱响应特性,以及在365 nm紫外光辐照下的时间响应特性.传感器波长响应峰值在约320 nm;上升时间常数为9.1 ms,下降时间常数为16.5 ms.
용KrF준분자맥충격광침적(PLD)법,이석영위츤저,재300 ℃～600℃제비료MgZnO박막.유랍만광보의、AFM、UV/vis분광광도계대박막진행표정,결과표명,재600 ℃제비박막유최대적금대관도3.78 eV,이급최호적결정질량.재차박막상도상Al전겁제비자외전감기,측량료전감기적적I-V곡선、광보향응특성,이급재365 nm자외광복조하적시간향응특성.전감기파장향응봉치재약320 nm;상승시간상수위9.1 ms,하강시간상수위16.5 ms.