南昌大学学报（理科版）
南昌大學學報（理科版）
남창대학학보（이과판）
JOURNAL OF NANCHANG UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2011年
6期
535-540
,共6页
赵勇%侯硕%俞进%方利广%郑军%盛广沪
趙勇%侯碩%俞進%方利廣%鄭軍%盛廣滬
조용%후석%유진%방리엄%정군%성엄호
离子注入%氧化硅%缺陷发光%辐照损伤
離子註入%氧化硅%缺陷髮光%輻照損傷
리자주입%양화규%결함발광%복조손상
采用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源制得了SiO2:Si辐照层.样品的室温可见PL谱峰位集中在560～700 nm的4个谱带；Raman谱表明样品中没有纳米硅晶形成,XPS谱检测到富氧和缺氧两种价键结构.560 nm发光中心起源于氧化硅层中的富氧结构缺陷SPR,620～700 nm的谱峰均源自非桥氧空穴中心NBOHC.研究了注入剂量和退火温度对缺陷发光特性的影响.结果表明,当Si离子注入剂量小于6×1016 cm2时,伴随注入剂量的增加观察到PL谱带强度单调上升；当注入剂量超过6×1016 cm2时,因过量离子注入引发的浓度猝灭致使PL谱带发光强度显著减弱；注入剂量6×1016 cm2的样品在200～500℃温度范围内退火后相应的PL谱两个子谱带呈现相反的温度变化趋势,这种差异是由于作为发光中心的SPR和NBOHC具有不同的热诱导生长机制而导致的.
採用金屬蒸氣真空弧(MEVVA)離子源製得瞭SiO2:Si輻照層.樣品的室溫可見PL譜峰位集中在560～700 nm的4箇譜帶；Raman譜錶明樣品中沒有納米硅晶形成,XPS譜檢測到富氧和缺氧兩種價鍵結構.560 nm髮光中心起源于氧化硅層中的富氧結構缺陷SPR,620～700 nm的譜峰均源自非橋氧空穴中心NBOHC.研究瞭註入劑量和退火溫度對缺陷髮光特性的影響.結果錶明,噹Si離子註入劑量小于6×1016 cm2時,伴隨註入劑量的增加觀察到PL譜帶彊度單調上升；噹註入劑量超過6×1016 cm2時,因過量離子註入引髮的濃度猝滅緻使PL譜帶髮光彊度顯著減弱；註入劑量6×1016 cm2的樣品在200～500℃溫度範圍內退火後相應的PL譜兩箇子譜帶呈現相反的溫度變化趨勢,這種差異是由于作為髮光中心的SPR和NBOHC具有不同的熱誘導生長機製而導緻的.
채용금속증기진공호(MEVVA)리자원제득료SiO2:Si복조층.양품적실온가견PL보봉위집중재560～700 nm적4개보대；Raman보표명양품중몰유납미규정형성,XPS보검측도부양화결양량충개건결구.560 nm발광중심기원우양화규층중적부양결구결함SPR,620～700 nm적보봉균원자비교양공혈중심NBOHC.연구료주입제량화퇴화온도대결함발광특성적영향.결과표명,당Si리자주입제량소우6×1016 cm2시,반수주입제량적증가관찰도PL보대강도단조상승；당주입제량초과6×1016 cm2시,인과량리자주입인발적농도졸멸치사PL보대발광강도현저감약；주입제량6×1016 cm2적양품재200～500℃온도범위내퇴화후상응적PL보량개자보대정현상반적온도변화추세,저충차이시유우작위발광중심적SPR화NBOHC구유불동적열유도생장궤제이도치적.
