成都电子机械高等专科学校学报
成都電子機械高等專科學校學報
성도전자궤계고등전과학교학보
CHENGDU ELECTROMECHANICAL COLLEGE
2011年
3期
11-14
,共4页
何茗%张树人%张婷%巫从平%饶文红
何茗%張樹人%張婷%巫從平%饒文紅
하명%장수인%장정%무종평%요문홍
溶胶-凝胶%烧结%介电
溶膠-凝膠%燒結%介電
용효-응효%소결%개전
采用溶胶凝胶法(Sol-gel)制备了CaSiO3基低温共烧陶瓷,在800℃、825℃、850℃、875℃下烧结,并对烧结样品进行了热重-差热分析、X射线扫描分析、扫描电子显微镜形貌分析.测试了在烧结温度为800℃、825℃、850℃、875℃下各样品的烧结密度和介电性能.结果表明Sol-gel 法制备的CaSiO3基低温共烧陶瓷含有大量的CaSiO3晶相与少量的CaB2O4晶相,最佳烧结温度为850℃.在烧结温度为850℃时,CaSiO3基低温共烧陶瓷的烧结密度p=2.60 g/cm3,介电性能ε,=5.86,tanδ =0.46×10-4.
採用溶膠凝膠法(Sol-gel)製備瞭CaSiO3基低溫共燒陶瓷,在800℃、825℃、850℃、875℃下燒結,併對燒結樣品進行瞭熱重-差熱分析、X射線掃描分析、掃描電子顯微鏡形貌分析.測試瞭在燒結溫度為800℃、825℃、850℃、875℃下各樣品的燒結密度和介電性能.結果錶明Sol-gel 法製備的CaSiO3基低溫共燒陶瓷含有大量的CaSiO3晶相與少量的CaB2O4晶相,最佳燒結溫度為850℃.在燒結溫度為850℃時,CaSiO3基低溫共燒陶瓷的燒結密度p=2.60 g/cm3,介電性能ε,=5.86,tanδ =0.46×10-4.
채용용효응효법(Sol-gel)제비료CaSiO3기저온공소도자,재800℃、825℃、850℃、875℃하소결,병대소결양품진행료열중-차열분석、X사선소묘분석、소묘전자현미경형모분석.측시료재소결온도위800℃、825℃、850℃、875℃하각양품적소결밀도화개전성능.결과표명Sol-gel 법제비적CaSiO3기저온공소도자함유대량적CaSiO3정상여소량적CaB2O4정상,최가소결온도위850℃.재소결온도위850℃시,CaSiO3기저온공소도자적소결밀도p=2.60 g/cm3,개전성능ε,=5.86,tanδ =0.46×10-4.
