CAJ | 학술논문

采用AIM-8800红外显微镜观察了CdGeAs2晶体的面扫描红外透过图像,分别在2.3～4μm、4～8 μm和8～18μm三个波段对退火前后的CdGeAs2晶片红外透过率和面扫描红外透过图像进行了对比分析,研究了晶体的红外均匀性.结果表明,CdGeAs2晶体在多晶粉末包裹下经450℃退火150 h后,其红外透过率和红外透过均匀性都得到较大程度的改善,其中在2.3 ～4μm和4～8μm波段的改善效果尤为显著；分析了影响晶体红外透过率和均匀性的主要因素,探讨了改善晶体均匀性的可能途径.研究结果对于快速评判CdGeAs2晶片质量具有重要的实用价值.
채용AIM-8800홍외현미경관찰료CdGeAs2정체적면소묘홍외투과도상,분별재2.3～4μm、4～8 μm화8～18μm삼개파단대퇴화전후적CdGeAs2정편홍외투과솔화면소묘홍외투과도상진행료대비분석,연구료정체적홍외균균성.결과표명,CdGeAs2정체재다정분말포과하경450℃퇴화150 h후,기홍외투과솔화홍외투과균균성도득도교대정도적개선,기중재2.3 ～4μm화4～8μm파단적개선효과우위현저；분석료영향정체홍외투과솔화균균성적주요인소,탐토료개선정체균균성적가능도경.연구결과대우쾌속평판CdGeAs2정편질량구유중요적실용개치.