半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2001年
11期
1397-1400
,共4页
蔡端俊%冯夏%朱梓忠%康俊勇
蔡耑俊%馮夏%硃梓忠%康俊勇
채단준%풍하%주재충%강준용
电子结构%GaN(001)%从头计算
電子結構%GaN(001)%從頭計算
전자결구%GaN(001)%종두계산
采用混合基表示的第一原理赝势方法,计算了闪锌矿结构的GaN(001)(1×1)干净表面的电子结构.分析了得到的各原子分态密度、面电荷密度分布以及表面能带结构等性质,比较了GaN(001)的Ga端表面和N端表面两种情况.结果显示,闪锌矿GaN(001)的Ga端表面比N端表面更稳定,这两种(1×1)表面都是金属特性.此外,还讨论了次表面层原子的性质.
採用混閤基錶示的第一原理贗勢方法,計算瞭閃鋅礦結構的GaN(001)(1×1)榦淨錶麵的電子結構.分析瞭得到的各原子分態密度、麵電荷密度分佈以及錶麵能帶結構等性質,比較瞭GaN(001)的Ga耑錶麵和N耑錶麵兩種情況.結果顯示,閃鋅礦GaN(001)的Ga耑錶麵比N耑錶麵更穩定,這兩種(1×1)錶麵都是金屬特性.此外,還討論瞭次錶麵層原子的性質.
채용혼합기표시적제일원리안세방법,계산료섬자광결구적GaN(001)(1×1)간정표면적전자결구.분석료득도적각원자분태밀도、면전하밀도분포이급표면능대결구등성질,비교료GaN(001)적Ga단표면화N단표면량충정황.결과현시,섬자광GaN(001)적Ga단표면비N단표면경은정,저량충(1×1)표면도시금속특성.차외,환토론료차표면층원자적성질.
