电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2004年
1期
42-44
,共3页
王丽玉%谢家纯%林碧霞%王克彦%傅竹西
王麗玉%謝傢純%林碧霞%王剋彥%傅竹西
왕려옥%사가순%림벽하%왕극언%부죽서
氧化锌%UV增强型探测%异质结%宽禁带
氧化鋅%UV增彊型探測%異質結%寬禁帶
양화자%UV증강형탐측%이질결%관금대
采用平面工艺,在p+-Si背底上电子束蒸发Al制作欧姆电极,在p-Si外延层上溅射掺Al的 ZnO薄膜,再蒸发Al作有源区欧姆电极,研制成n-ZnO/p-Si异质结UV(ultraviolet)增强型光电探测器.测试结果表明:器件明显增强了200～400 nm紫外光的响应,同时保持了传统的Si探测器对波长大于400 nm波段的光谱响应,在330,420,468、525 nm附近有四个明显的光谱峰值响应.器件光致发光谱(PL)在371 nm处有发光峰值.
採用平麵工藝,在p+-Si揹底上電子束蒸髮Al製作歐姆電極,在p-Si外延層上濺射摻Al的 ZnO薄膜,再蒸髮Al作有源區歐姆電極,研製成n-ZnO/p-Si異質結UV(ultraviolet)增彊型光電探測器.測試結果錶明:器件明顯增彊瞭200～400 nm紫外光的響應,同時保持瞭傳統的Si探測器對波長大于400 nm波段的光譜響應,在330,420,468、525 nm附近有四箇明顯的光譜峰值響應.器件光緻髮光譜(PL)在371 nm處有髮光峰值.
채용평면공예,재p+-Si배저상전자속증발Al제작구모전겁,재p-Si외연층상천사참Al적 ZnO박막,재증발Al작유원구구모전겁,연제성n-ZnO/p-Si이질결UV(ultraviolet)증강형광전탐측기.측시결과표명:기건명현증강료200～400 nm자외광적향응,동시보지료전통적Si탐측기대파장대우400 nm파단적광보향응,재330,420,468、525 nm부근유사개명현적광보봉치향응.기건광치발광보(PL)재371 nm처유발광봉치.
