核技术
覈技術
핵기술
NUCLEAR TECHNIQUES
2005年
2期
105-108
,共4页
靳涛%杨志安%杨祖慎%姚育娟%罗伊虹
靳濤%楊誌安%楊祖慎%姚育娟%囉伊虹
근도%양지안%양조신%요육연%라이홍
脉冲X射线%场效应晶体管%辐射效应
脈遲X射線%場效應晶體管%輻射效應
맥충X사선%장효응정체관%복사효응
根据P沟道金属氧化物场效应晶体管(PMOSFET)在低能脉冲X射线辐照下的实验结果、结合PMOSFET实验样品的结构分析了阈电压漂移产生的机理.
根據P溝道金屬氧化物場效應晶體管(PMOSFET)在低能脈遲X射線輻照下的實驗結果、結閤PMOSFET實驗樣品的結構分析瞭閾電壓漂移產生的機理.
근거P구도금속양화물장효응정체관(PMOSFET)재저능맥충X사선복조하적실험결과、결합PMOSFET실험양품적결구분석료역전압표이산생적궤리.
