微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2006年
4期
488-491
,共4页
CMOS%射频%AB类%功率预放大器%线性度
CMOS%射頻%AB類%功率預放大器%線性度
CMOS%사빈%AB류%공솔예방대기%선성도
介绍了一个基于0.35 μm CMOS 6层金属工艺,采用片外阻抗匹配网络的两级AB类功率预放大器.电路在3.3 V电源电压下工作,静态电流为18 mA.测得功率预放大器的功率增益为10 dB,最大有6 dBm输出功率到50 Ω负载.采用片上线性化技术,功率预放大器在1.9 GHz频率获得了很好的线性度:输出三阶截点OIP3＝9.4 dBm,输出1 dB压缩点OP1 dB＝-0.6 dBm.
介紹瞭一箇基于0.35 μm CMOS 6層金屬工藝,採用片外阻抗匹配網絡的兩級AB類功率預放大器.電路在3.3 V電源電壓下工作,靜態電流為18 mA.測得功率預放大器的功率增益為10 dB,最大有6 dBm輸齣功率到50 Ω負載.採用片上線性化技術,功率預放大器在1.9 GHz頻率穫得瞭很好的線性度:輸齣三階截點OIP3＝9.4 dBm,輸齣1 dB壓縮點OP1 dB＝-0.6 dBm.
개소료일개기우0.35 μm CMOS 6층금속공예,채용편외조항필배망락적량급AB류공솔예방대기.전로재3.3 V전원전압하공작,정태전류위18 mA.측득공솔예방대기적공솔증익위10 dB,최대유6 dBm수출공솔도50 Ω부재.채용편상선성화기술,공솔예방대기재1.9 GHz빈솔획득료흔호적선성도:수출삼계절점OIP3＝9.4 dBm,수출1 dB압축점OP1 dB＝-0.6 dBm.
