Si/SiO2系统电荷对高阻硅基CPW传输损耗的影响
Si/SiO2계통전하대고조규기CPW전수손모적영향
Si/SiO2 System Charges Effect on Loss of CPW on HR-Si Substrate
  • 万方数据
    固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
    RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
    2007年 2期 221-225 ,共5页

    徐钰%石艳玲%沈迪%胡红梅%忻佩胜%朱荣锦%刘贇%蒋菱

    서옥%석염령%침적%호홍매%흔패성%주영금%류빈%장릉

    共平面波导%硅/二氧化硅系统电荷%高阻硅衬底 共平麵波導%硅/二氧化硅繫統電荷%高阻硅襯底
    공평면파도%규/이양화규계통전하%고조규츤저
    通过高频C-V测试得到实验制备的共平面波导(CPW)下方的Si/SiOz系统电荷主要表现为正电荷,其密度约为4.8×1010/cm2.三种不同衬底上50 (n)共平面波导分别为直接制备于高阻硅上、高阻硅氧化层上、去除信号线与地线间的高阻硅氧化层上.20 GHz时,测得上述三种CPW的微波传输损耗分别为-0.88 dB、-2.50 dB及-1.06 dB,因此去除线问氧化层使得传输线损耗降低了1.44 dB.此外还测试了高阻硅氧化层和除去线间氧化层的高阻硅氧化层上的两种CPW的传输损耗随外加偏压的变化.
    통과고빈C-V측시득도실험제비적공평면파도(CPW)하방적Si/SiOz계통전하주요표현위정전하,기밀도약위4.8×1010/cm2.삼충불동츤저상50 (n)공평면파도분별위직접제비우고조규상、고조규양화층상、거제신호선여지선간적고조규양화층상.20 GHz시,측득상술삼충CPW적미파전수손모분별위-0.88 dB、-2.50 dB급-1.06 dB,인차거제선문양화층사득전수선손모강저료1.44 dB.차외환측시료고조규양화층화제거선간양화층적고조규양화층상적량충CPW적전수손모수외가편압적변화.
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