半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
7期
1350-1353
,共4页
魏星%王湘%陈猛%陈静%张苗%王曦%林成鲁
魏星%王湘%陳猛%陳靜%張苗%王晞%林成魯
위성%왕상%진맹%진정%장묘%왕희%림성로
薄膜厚埋层SOI材料%注氧键合技术%剖面透射电镜
薄膜厚埋層SOI材料%註氧鍵閤技術%剖麵透射電鏡
박막후매층SOI재료%주양건합기술%부면투사전경
在结合低剂量注氧隔离(SIMOX)技术和键合技术的基础上,研究了制备薄膜(薄顶层硅膜)厚埋层SOI材料的新技术--注氧键合技术.采用该新技术成功制备出薄膜厚埋层SOI材料,顶层硅厚度130nm,埋氧层厚度lμm,顶层硅厚度均匀性±2%.并分别采用原子力显微镜(AFM)和剖面透射电镜(XTEM)对其表面形貌和结构进行了表征.研究结果表明,SIMOX材料顶层硅通过键合技术转移后仍能够保持其厚度均匀性,且埋氧层和顶层硅之间具有原子级陡峭的分界面,因此注氧键合技术将会是一项有广阔应用前景的SOI制备技术.
在結閤低劑量註氧隔離(SIMOX)技術和鍵閤技術的基礎上,研究瞭製備薄膜(薄頂層硅膜)厚埋層SOI材料的新技術--註氧鍵閤技術.採用該新技術成功製備齣薄膜厚埋層SOI材料,頂層硅厚度130nm,埋氧層厚度lμm,頂層硅厚度均勻性±2%.併分彆採用原子力顯微鏡(AFM)和剖麵透射電鏡(XTEM)對其錶麵形貌和結構進行瞭錶徵.研究結果錶明,SIMOX材料頂層硅通過鍵閤技術轉移後仍能夠保持其厚度均勻性,且埋氧層和頂層硅之間具有原子級陡峭的分界麵,因此註氧鍵閤技術將會是一項有廣闊應用前景的SOI製備技術.
재결합저제량주양격리(SIMOX)기술화건합기술적기출상,연구료제비박막(박정층규막)후매층SOI재료적신기술--주양건합기술.채용해신기술성공제비출박막후매층SOI재료,정층규후도130nm,매양층후도lμm,정층규후도균균성±2%.병분별채용원자력현미경(AFM)화부면투사전경(XTEM)대기표면형모화결구진행료표정.연구결과표명,SIMOX재료정층규통과건합기술전이후잉능구보지기후도균균성,차매양층화정층규지간구유원자급두초적분계면,인차주양건합기술장회시일항유엄활응용전경적SOI제비기술.
