浙江大学学报（工学版）
浙江大學學報（工學版）
절강대학학보（공학판）
JOURNAL OF ZHEJIANG UNIVERSITY(ENGINEERING SCIENCE)
2008年
9期
1580-1586,1605
,共8页
巩文超%王忆%崔传荣%王义凯%何乐年
鞏文超%王憶%崔傳榮%王義凱%何樂年
공문초%왕억%최전영%왕의개%하악년
电流基准%电源抑制比%温度补偿
電流基準%電源抑製比%溫度補償
전류기준%전원억제비%온도보상
为提高CMOS集成电路中电流基准的精度和稳定性,提出了一种结构简单,电源抑制比(PSRR)很高的电流基准结构--三支路电流基准.应用基尔霍夫定律(Kirchhoff's current and voltage law,Kcl Kvl)和偏微分方程,对比分析了传统的电流基准、共源共栅电流基准以及三支路电流基准的小信号模型,求解出了这3种电路的电源抑制比公式.对比发现传统电流基准和共源共栅电流基准的节点电压正反馈限制了电流基准的性能,三支路结构由于节点电压成强负反馈,拥有更高的PSRR.三支路电流基准采用了一阶温度补偿方案,保证了温度稳定性.经CSMC 0.5μm工艺仿真结果显示,三支路基准在输入电压1.5～5.0 V的低频PSRR达-77.9 dB,明显优于另外两种结构;在-20～120℃温度区间内输出电流稳定性达到了255×10-6/℃,满足了大多数应用的要求.
為提高CMOS集成電路中電流基準的精度和穩定性,提齣瞭一種結構簡單,電源抑製比(PSRR)很高的電流基準結構--三支路電流基準.應用基爾霍伕定律(Kirchhoff's current and voltage law,Kcl Kvl)和偏微分方程,對比分析瞭傳統的電流基準、共源共柵電流基準以及三支路電流基準的小信號模型,求解齣瞭這3種電路的電源抑製比公式.對比髮現傳統電流基準和共源共柵電流基準的節點電壓正反饋限製瞭電流基準的性能,三支路結構由于節點電壓成彊負反饋,擁有更高的PSRR.三支路電流基準採用瞭一階溫度補償方案,保證瞭溫度穩定性.經CSMC 0.5μm工藝倣真結果顯示,三支路基準在輸入電壓1.5～5.0 V的低頻PSRR達-77.9 dB,明顯優于另外兩種結構;在-20～120℃溫度區間內輸齣電流穩定性達到瞭255×10-6/℃,滿足瞭大多數應用的要求.
위제고CMOS집성전로중전류기준적정도화은정성,제출료일충결구간단,전원억제비(PSRR)흔고적전류기준결구--삼지로전류기준.응용기이곽부정률(Kirchhoff's current and voltage law,Kcl Kvl)화편미분방정,대비분석료전통적전류기준、공원공책전류기준이급삼지로전류기준적소신호모형,구해출료저3충전로적전원억제비공식.대비발현전통전류기준화공원공책전류기준적절점전압정반궤한제료전류기준적성능,삼지로결구유우절점전압성강부반궤,옹유경고적PSRR.삼지로전류기준채용료일계온도보상방안,보증료온도은정성.경CSMC 0.5μm공예방진결과현시,삼지로기준재수입전압1.5～5.0 V적저빈PSRR체-77.9 dB,명현우우령외량충결구;재-20～120℃온도구간내수출전류은정성체도료255×10-6/℃,만족료대다수응용적요구.
