人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2010年
2期
490-493,510
,共5页
丁瑞钦%曾庆光%陈毅湛%朱慧群%丁晓贵%齐德备
丁瑞欽%曾慶光%陳毅湛%硃慧群%丁曉貴%齊德備
정서흠%증경광%진의담%주혜군%정효귀%제덕비
p型ZnO薄膜%磷扩散法%磁控溅射工艺
p型ZnO薄膜%燐擴散法%磁控濺射工藝
p형ZnO박막%린확산법%자공천사공예
在前期通过n+-Si衬底中的磷向沉积于其上面的ZnO薄膜的扩散制备高掺磷p型ZnO薄膜的研究基础上,探索了较有普遍应用意义的扩散法制备p型ZnO薄膜的磁控溅射工艺.结果表明,当磁控溅射的氧氩质量流量比与衬底温度满足特定的低阶指数函数的匹配关系时,所制备的ZnO薄膜为p型,而且薄膜中磷原子的深度分布是均匀的;另外,这种薄膜的厚度随着氧氩流量比的增加而减小,而薄膜中氧锌原子浓度比都大于1,比值大小与氧氩质量流量比和衬底温度有关.
在前期通過n+-Si襯底中的燐嚮沉積于其上麵的ZnO薄膜的擴散製備高摻燐p型ZnO薄膜的研究基礎上,探索瞭較有普遍應用意義的擴散法製備p型ZnO薄膜的磁控濺射工藝.結果錶明,噹磁控濺射的氧氬質量流量比與襯底溫度滿足特定的低階指數函數的匹配關繫時,所製備的ZnO薄膜為p型,而且薄膜中燐原子的深度分佈是均勻的;另外,這種薄膜的厚度隨著氧氬流量比的增加而減小,而薄膜中氧鋅原子濃度比都大于1,比值大小與氧氬質量流量比和襯底溫度有關.
재전기통과n+-Si츤저중적린향침적우기상면적ZnO박막적확산제비고참린p형ZnO박막적연구기출상,탐색료교유보편응용의의적확산법제비p형ZnO박막적자공천사공예.결과표명,당자공천사적양아질량류량비여츤저온도만족특정적저계지수함수적필배관계시,소제비적ZnO박막위p형,이차박막중린원자적심도분포시균균적;령외,저충박막적후도수착양아류량비적증가이감소,이박막중양자원자농도비도대우1,비치대소여양아질량류량비화츤저온도유관.
