微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
11期
680-683
,共4页
田时开%曾葆青%朱锦峰%董建会
田時開%曾葆青%硃錦峰%董建會
전시개%증보청%주금봉%동건회
微波燃烧%四针状氧化锌%石墨%扫描电子显微镜(SEM)%能量损失谱(EDS)%透射电子显微镜(TEM)%X射线衍射光谱(XRD)
微波燃燒%四針狀氧化鋅%石墨%掃描電子顯微鏡(SEM)%能量損失譜(EDS)%透射電子顯微鏡(TEM)%X射線衍射光譜(XRD)
미파연소%사침상양화자%석묵%소묘전자현미경(SEM)%능량손실보(EDS)%투사전자현미경(TEM)%X사선연사광보(XRD)
将锌粉和石墨粉以一定比例混合放入家用微波炉中,在微波辐照下燃烧生成了白色松软的ZnO膜,将此薄膜用扫描电子显微镜(SEM)、能量损失谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射光谱(XRD)分析其成分和形貌.结果显示,该ZnO为单晶四针状晶须,晶须直径为20～50 nm,分析了它的生长机理并测试其场发射特性,得到该ZnO的开启场强较低为3.88 V/μm,相应的电流密度为10 μA/cm2,在场强为5.7 V/μm时达到最大发射电流密度为0.39 mA/cm2.
將鋅粉和石墨粉以一定比例混閤放入傢用微波爐中,在微波輻照下燃燒生成瞭白色鬆軟的ZnO膜,將此薄膜用掃描電子顯微鏡(SEM)、能量損失譜(EDS)、透射電子顯微鏡(TEM)和X射線衍射光譜(XRD)分析其成分和形貌.結果顯示,該ZnO為單晶四針狀晶鬚,晶鬚直徑為20～50 nm,分析瞭它的生長機理併測試其場髮射特性,得到該ZnO的開啟場彊較低為3.88 V/μm,相應的電流密度為10 μA/cm2,在場彊為5.7 V/μm時達到最大髮射電流密度為0.39 mA/cm2.
장자분화석묵분이일정비례혼합방입가용미파로중,재미파복조하연소생성료백색송연적ZnO막,장차박막용소묘전자현미경(SEM)、능량손실보(EDS)、투사전자현미경(TEM)화X사선연사광보(XRD)분석기성분화형모.결과현시,해ZnO위단정사침상정수,정수직경위20～50 nm,분석료타적생장궤리병측시기장발사특성,득도해ZnO적개계장강교저위3.88 V/μm,상응적전류밀도위10 μA/cm2,재장강위5.7 V/μm시체도최대발사전류밀도위0.39 mA/cm2.
