南昌大学学报（理科版）
南昌大學學報（理科版）
남창대학학보（이과판）
JOURNAL OF NANCHANG UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2011年
3期
258-262
,共5页
赵勇%俞进%于鹏%侯硕%梁晓军%方利广%盛广沪
趙勇%俞進%于鵬%侯碩%樑曉軍%方利廣%盛廣滬
조용%유진%우붕%후석%량효군%방리엄%성엄호
ZnO薄膜%内应变%退火温度%PFCVAD
ZnO薄膜%內應變%退火溫度%PFCVAD
ZnO박막%내응변%퇴화온도%PFCVAD
采用磁过滤阴极脉冲真空弧沉积技术(pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition,PFCVAD),以Si(100)单晶片为衬底,在衬底温度400℃、氧气压力4×10-2 Pa、靶负压400 V的条件下制备了具有c轴取向的ZnO薄膜.采用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)研究了退火温度对ZnO薄膜结构和内应变的影响.研究结果表明:由于薄膜制备过程中的“atom peening”机制导致大量的原子被束缚于非平衡位置,未退火的ZnO薄膜呈压应力;薄膜压应力随退火温度的升高而降低,当退火温度升高至约530℃,薄膜的内应变由压应力转变为张应力;升高退火温度还促进了ZnO薄膜晶粒生长.为通过退火控制PFCVAD制备的ZnO薄膜内应变提供了依据.
採用磁過濾陰極脈遲真空弧沉積技術(pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition,PFCVAD),以Si(100)單晶片為襯底,在襯底溫度400℃、氧氣壓力4×10-2 Pa、靶負壓400 V的條件下製備瞭具有c軸取嚮的ZnO薄膜.採用原子力顯微鏡(AFM)和X射線衍射儀(XRD)研究瞭退火溫度對ZnO薄膜結構和內應變的影響.研究結果錶明:由于薄膜製備過程中的“atom peening”機製導緻大量的原子被束縳于非平衡位置,未退火的ZnO薄膜呈壓應力;薄膜壓應力隨退火溫度的升高而降低,噹退火溫度升高至約530℃,薄膜的內應變由壓應力轉變為張應力;升高退火溫度還促進瞭ZnO薄膜晶粒生長.為通過退火控製PFCVAD製備的ZnO薄膜內應變提供瞭依據.
채용자과려음겁맥충진공호침적기술(pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition,PFCVAD),이Si(100)단정편위츤저,재츤저온도400℃、양기압력4×10-2 Pa、파부압400 V적조건하제비료구유c축취향적ZnO박막.채용원자력현미경(AFM)화X사선연사의(XRD)연구료퇴화온도대ZnO박막결구화내응변적영향.연구결과표명:유우박막제비과정중적“atom peening”궤제도치대량적원자피속박우비평형위치,미퇴화적ZnO박막정압응력;박막압응력수퇴화온도적승고이강저,당퇴화온도승고지약530℃,박막적내응변유압응력전변위장응력;승고퇴화온도환촉진료ZnO박막정립생장.위통과퇴화공제PFCVAD제비적ZnO박막내응변제공료의거.
