科学技术与工程
科學技術與工程
과학기술여공정
SCIENCE TECHNOLOGY AND ENGINEERING
2011年
32期
7884-7887
,共4页
电子初始自旋极化度%带隙重整化效应%费米分布%GaAs
電子初始自鏇極化度%帶隙重整化效應%費米分佈%GaAs
전자초시자선겁화도%대극중정화효응%비미분포%GaAs
考虑自旋极化依赖的带隙重整化效应,分别计算了常温与10 K的低温下GaAs导带中光注入电子自旋极化度的能量演化.计算过程中假设右旋圆偏振光激发,载流子浓度为2×1017 cm-3.发现常温下电子初始自旋极化度随过超能量的增大而增大,并非为通常认为的0.5.而在低温下,导带底附近电子初始自旋极化度几乎为0,电子初始自旋极化度也随过超能量的增大而增大,高能级上可以获得100％的电子初始自旋极化度.
攷慮自鏇極化依賴的帶隙重整化效應,分彆計算瞭常溫與10 K的低溫下GaAs導帶中光註入電子自鏇極化度的能量縯化.計算過程中假設右鏇圓偏振光激髮,載流子濃度為2×1017 cm-3.髮現常溫下電子初始自鏇極化度隨過超能量的增大而增大,併非為通常認為的0.5.而在低溫下,導帶底附近電子初始自鏇極化度幾乎為0,電子初始自鏇極化度也隨過超能量的增大而增大,高能級上可以穫得100％的電子初始自鏇極化度.
고필자선겁화의뢰적대극중정화효응,분별계산료상온여10 K적저온하GaAs도대중광주입전자자선겁화도적능량연화.계산과정중가설우선원편진광격발,재류자농도위2×1017 cm-3.발현상온하전자초시자선겁화도수과초능량적증대이증대,병비위통상인위적0.5.이재저온하,도대저부근전자초시자선겁화도궤호위0,전자초시자선겁화도야수과초능량적증대이증대,고능급상가이획득100％적전자초시자선겁화도.
