电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2001年
1期
20-22
,共3页
崔靖杰%李小图%王洪儒%吴霞宛%王希忠
崔靖傑%李小圖%王洪儒%吳霞宛%王希忠
최정걸%리소도%왕홍유%오하완%왕희충
钛酸钡%电容量温度特性%多层陶瓷电容器
鈦痠鋇%電容量溫度特性%多層陶瓷電容器
태산패%전용량온도특성%다층도자전용기
研究了细晶钛酸钡介质层厚度对MLCC的TC、TVC特性的影响。结果表明介质层厚度≥27 μm时,MLCC的TC、TVC特性符合2X1(BX)特性要求。在施加直流偏压时，-25%≤ΔC／C≤+15%。MLCC的绝缘电阻为1011Ω，损耗小于150×10－4。
研究瞭細晶鈦痠鋇介質層厚度對MLCC的TC、TVC特性的影響。結果錶明介質層厚度≥27 μm時,MLCC的TC、TVC特性符閤2X1(BX)特性要求。在施加直流偏壓時，-25%≤ΔC／C≤+15%。MLCC的絕緣電阻為1011Ω，損耗小于150×10－4。
연구료세정태산패개질층후도대MLCC적TC、TVC특성적영향。결과표명개질층후도≥27 μm시,MLCC적TC、TVC특성부합2X1(BX)특성요구。재시가직류편압시，-25%≤ΔC／C≤+15%。MLCC적절연전조위1011Ω，손모소우150×10－4。
