半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
11期
2169-2174
,共6页
李康%郝跃%刘红侠%方建平%薛鸿民
李康%郝躍%劉紅俠%方建平%薛鴻民
리강%학약%류홍협%방건평%설홍민
HCI%时变栅电流模型%BSIM3v3%可靠性仿真
HCI%時變柵電流模型%BSIM3v3%可靠性倣真
HCI%시변책전류모형%BSIM3v3%가고성방진
研究了深亚微米pMOS器件HCI(hot carrier injeotion)退化模型.采用流函数分析方法提出一种时变栅电流物理描述,基于这一栅电流模型改进了pMOS器件的HCI退化模型,并在该模型基础上提出一种HCI退化可靠性仿真方法,用于对静态应力条件下器件的HCI退化程度进行预测.最后给出了仿真结果对比.该方法已被用于XDRT可靠性工具中进行器件HCI退化分析.
研究瞭深亞微米pMOS器件HCI(hot carrier injeotion)退化模型.採用流函數分析方法提齣一種時變柵電流物理描述,基于這一柵電流模型改進瞭pMOS器件的HCI退化模型,併在該模型基礎上提齣一種HCI退化可靠性倣真方法,用于對靜態應力條件下器件的HCI退化程度進行預測.最後給齣瞭倣真結果對比.該方法已被用于XDRT可靠性工具中進行器件HCI退化分析.
연구료심아미미pMOS기건HCI(hot carrier injeotion)퇴화모형.채용류함수분석방법제출일충시변책전류물리묘술,기우저일책전류모형개진료pMOS기건적HCI퇴화모형,병재해모형기출상제출일충HCI퇴화가고성방진방법,용우대정태응력조건하기건적HCI퇴화정도진행예측.최후급출료방진결과대비.해방법이피용우XDRT가고성공구중진행기건HCI퇴화분석.
