微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2007年
2期
151-154
,共4页
毫米波CMOS%建模%MOS场效应晶体管%参数提取%BSIM3
毫米波CMOS%建模%MOS場效應晶體管%參數提取%BSIM3
호미파CMOS%건모%MOS장효응정체관%삼수제취%BSIM3
提出了针对毫米波CMOS应用的nMOS场效应晶体管的建模方法.对采用0.18 μm标准CMOS工艺的nMOS场效应管进行了版图的优化设计,并提出和分析了基于标准BSIM3V3模型卡的nMOS场效应管的等效电路模型.通过仿真,直接从MOS场效应管的物理版图中提取出各个寄生元件的值,使该模型能预测nMOS管从100 MHz到40 GHz频率范围内的高频性能.
提齣瞭針對毫米波CMOS應用的nMOS場效應晶體管的建模方法.對採用0.18 μm標準CMOS工藝的nMOS場效應管進行瞭版圖的優化設計,併提齣和分析瞭基于標準BSIM3V3模型卡的nMOS場效應管的等效電路模型.通過倣真,直接從MOS場效應管的物理版圖中提取齣各箇寄生元件的值,使該模型能預測nMOS管從100 MHz到40 GHz頻率範圍內的高頻性能.
제출료침대호미파CMOS응용적nMOS장효응정체관적건모방법.대채용0.18 μm표준CMOS공예적nMOS장효응관진행료판도적우화설계,병제출화분석료기우표준BSIM3V3모형잡적nMOS장효응관적등효전로모형.통과방진,직접종MOS장효응관적물리판도중제취출각개기생원건적치,사해모형능예측nMOS관종100 MHz도40 GHz빈솔범위내적고빈성능.
