核技术
覈技術
핵기술
NUCLEAR TECHNIQUES
2008年
8期
613-615
,共3页
刘刚%蔡小五%韩郑生%陆江%王立新%夏洋
劉剛%蔡小五%韓鄭生%陸江%王立新%夏洋
류강%채소오%한정생%륙강%왕립신%하양
VDMOS%总剂量%电离辐照%功率MOSFET
VDMOS%總劑量%電離輻照%功率MOSFET
VDMOS%총제량%전리복조%공솔MOSFET
分析了国产VDMOS(Vertical Double-diffusion MOSFET)总剂量试验数据,并比较了辐照环境中不同偏置下电学参数的变化差异,发现新工艺研制的VDMOS器件辐照敏感参数为击穿电压和阈值电压.根据试验结果得到考核VDMOS辐照可靠性的有效试验方法:击穿电压抗辐照考核时应采用漏偏置,阈值电压抗辐照考核时应采用栅偏置.
分析瞭國產VDMOS(Vertical Double-diffusion MOSFET)總劑量試驗數據,併比較瞭輻照環境中不同偏置下電學參數的變化差異,髮現新工藝研製的VDMOS器件輻照敏感參數為擊穿電壓和閾值電壓.根據試驗結果得到攷覈VDMOS輻照可靠性的有效試驗方法:擊穿電壓抗輻照攷覈時應採用漏偏置,閾值電壓抗輻照攷覈時應採用柵偏置.
분석료국산VDMOS(Vertical Double-diffusion MOSFET)총제량시험수거,병비교료복조배경중불동편치하전학삼수적변화차이,발현신공예연제적VDMOS기건복조민감삼수위격천전압화역치전압.근거시험결과득도고핵VDMOS복조가고성적유효시험방법:격천전압항복조고핵시응채용루편치,역치전압항복조고핵시응채용책편치.
