微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2009年
11期
700-704
,共5页
刘民杰%池保勇%刘云峰%董景新
劉民傑%池保勇%劉雲峰%董景新
류민걸%지보용%류운봉%동경신
互补型金属氧化物半导体%采样/保持电路%电容翻转结构%栅压自举开关%跨导放大器
互補型金屬氧化物半導體%採樣/保持電路%電容翻轉結構%柵壓自舉開關%跨導放大器
호보형금속양화물반도체%채양/보지전로%전용번전결구%책압자거개관%과도방대기
提出了一种高性能CMOS采样/保持电路,它采用全差分电容翻转型的主体结构有效减小了噪声和功耗.在电路设计中提出了新型栅源电压恒定的自举开关来极大减小非线性失真,并同时有效抑止输入信号的直流偏移.该采样/保持电路采用0.18μm 1P-6M CMOS双阱工艺来实现,在1.8 V电源电压、32 MHz采样速率下,输入信号直到奈奎斯特频率时仍能达到86.88 dB的无杂散动态范围(SFDR),电路的信号噪声失真比(SNDR)为73.50 dB.最后进行了电路的版图编辑,并对样片进行了初步测试,测试波形表明,电路实现了采样保持的功能.
提齣瞭一種高性能CMOS採樣/保持電路,它採用全差分電容翻轉型的主體結構有效減小瞭譟聲和功耗.在電路設計中提齣瞭新型柵源電壓恆定的自舉開關來極大減小非線性失真,併同時有效抑止輸入信號的直流偏移.該採樣/保持電路採用0.18μm 1P-6M CMOS雙阱工藝來實現,在1.8 V電源電壓、32 MHz採樣速率下,輸入信號直到奈奎斯特頻率時仍能達到86.88 dB的無雜散動態範圍(SFDR),電路的信號譟聲失真比(SNDR)為73.50 dB.最後進行瞭電路的版圖編輯,併對樣片進行瞭初步測試,測試波形錶明,電路實現瞭採樣保持的功能.
제출료일충고성능CMOS채양/보지전로,타채용전차분전용번전형적주체결구유효감소료조성화공모.재전로설계중제출료신형책원전압항정적자거개관래겁대감소비선성실진,병동시유효억지수입신호적직류편이.해채양/보지전로채용0.18μm 1P-6M CMOS쌍정공예래실현,재1.8 V전원전압、32 MHz채양속솔하,수입신호직도내규사특빈솔시잉능체도86.88 dB적무잡산동태범위(SFDR),전로적신호조성실진비(SNDR)위73.50 dB.최후진행료전로적판도편집,병대양편진행료초보측시,측시파형표명,전로실현료채양보지적공능.
