CAJ | 학술논문

万方数据

微纳电子技术 미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年 7期 415-424 ,共10页

杨挺%孙国胜%吴海雷%闫果果%宁瑾%赵永梅%刘兴防%罗木昌%王雷%赵万顺%曾一平

양정%손국성%오해뢰%염과과%저근%조영매%류흥방%라목창%왕뢰%조만순%증일평

立方相碳化硅%MEMS器件%基本结构%加工工艺%测试结果%可靠性立方相碳化硅%MEMS器件%基本結構%加工工藝%測試結果%可靠性
립방상탄화규%MEMS기건%기본결구%가공공예%측시결과%가고성

主要介绍了近年来国内外出现的有市场推广潜力的立方相碳化硅(3C-SiC) MEMS器件,详细描述了其中一些典型器件的基本结构、加工工艺及初步测试结果,并指出了要想提高器件的可靠性,需要获得低残余应力、低应力梯度的薄膜材料,应当采用合适的刻蚀方法,还需保证金属与碳化硅欧姆接触的稳定性,同时高温引线键合与封装工艺亦不能忽视.随着材料生长和加工成本的不断降低,3C-SiC基MEMS器件将会逐步走向商品化.
주요개소료근년래국내외출현적유시장추엄잠력적립방상탄화규(3C-SiC) MEMS기건,상세묘술료기중일사전형기건적기본결구、가공공예급초보측시결과,병지출료요상제고기건적가고성,수요획득저잔여응력、저응력제도적박막재료,응당채용합괄적각식방법,환수보증금속여탄화규구모접촉적은정성,동시고온인선건합여봉장공예역불능홀시.수착재료생장화가공성본적불단강저,3C-SiC기MEMS기건장회축보주향상품화.