半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
7期
669-672
,共4页
滑育楠%梁聪%高怀%杨立武%李贯平
滑育楠%樑聰%高懷%楊立武%李貫平
활육남%량총%고부%양립무%리관평
宽带匹配%Kink效应%S参数%异质结双极晶体管
寬帶匹配%Kink效應%S參數%異質結雙極晶體管
관대필배%Kink효응%S삼수%이질결쌍겁정체관
介绍了GaAs异质结双极型晶体管(HBT)的Kink效应及其对宽带匹配的影响,并根据负反馈原理,提出了一种新型的HBT复合管结构.通过对该结构进行小信号分析和计算机软件仿真,该复合晶体管在整个测试频段内输出阻抗接近于一个简单的RC串联电路,并且输出电阻在很宽的频率范围内保持稳定.采用2 μm InGaP/GaAs HBT半导体工艺技术流片测试,结果表明,在0.1～20 GHz(接近该HBT的截止频率)的频率范围内所提出的新型HBT复合管抑制了Kink效应并与理论分析结果及计算机仿真结果相吻合.采用该复合管作为宽带放大器的有源器件可以在很大程度上简化匹配电路的设计并且不会显著增加芯片面积和功耗.
介紹瞭GaAs異質結雙極型晶體管(HBT)的Kink效應及其對寬帶匹配的影響,併根據負反饋原理,提齣瞭一種新型的HBT複閤管結構.通過對該結構進行小信號分析和計算機軟件倣真,該複閤晶體管在整箇測試頻段內輸齣阻抗接近于一箇簡單的RC串聯電路,併且輸齣電阻在很寬的頻率範圍內保持穩定.採用2 μm InGaP/GaAs HBT半導體工藝技術流片測試,結果錶明,在0.1～20 GHz(接近該HBT的截止頻率)的頻率範圍內所提齣的新型HBT複閤管抑製瞭Kink效應併與理論分析結果及計算機倣真結果相吻閤.採用該複閤管作為寬帶放大器的有源器件可以在很大程度上簡化匹配電路的設計併且不會顯著增加芯片麵積和功耗.
개소료GaAs이질결쌍겁형정체관(HBT)적Kink효응급기대관대필배적영향,병근거부반궤원리,제출료일충신형적HBT복합관결구.통과대해결구진행소신호분석화계산궤연건방진,해복합정체관재정개측시빈단내수출조항접근우일개간단적RC천련전로,병차수출전조재흔관적빈솔범위내보지은정.채용2 μm InGaP/GaAs HBT반도체공예기술류편측시,결과표명,재0.1～20 GHz(접근해HBT적절지빈솔)적빈솔범위내소제출적신형HBT복합관억제료Kink효응병여이론분석결과급계산궤방진결과상문합.채용해복합관작위관대방대기적유원기건가이재흔대정도상간화필배전로적설계병차불회현저증가심편면적화공모.
