中国科技财富
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중국과기재부
FORTUNE WORLD
2011年
8期
91
,共1页
闩锁效应%高阻衬底%多子保护环
閂鎖效應%高阻襯底%多子保護環
산쇄효응%고조츤저%다자보호배
闩锁效应会严重导致电路的失效,甚至是烧毁芯片.采用增加多子保护环的方法来抑制功率集成电路的闩锁效应,而且给出环宽设计、环距与寄生闩锁触发阈值的数量关系,并且比较了不同结深的工序作为多子环的效果.对于给定的设计规则,比较了不同电阻率衬底材料的CMOS单元中的闩锁效应,结果表明了合理设计可以有效地改善高阻衬底的寄生闩锁效应.
閂鎖效應會嚴重導緻電路的失效,甚至是燒燬芯片.採用增加多子保護環的方法來抑製功率集成電路的閂鎖效應,而且給齣環寬設計、環距與寄生閂鎖觸髮閾值的數量關繫,併且比較瞭不同結深的工序作為多子環的效果.對于給定的設計規則,比較瞭不同電阻率襯底材料的CMOS單元中的閂鎖效應,結果錶明瞭閤理設計可以有效地改善高阻襯底的寄生閂鎖效應.
산쇄효응회엄중도치전로적실효,심지시소훼심편.채용증가다자보호배적방법래억제공솔집성전로적산쇄효응,이차급출배관설계、배거여기생산쇄촉발역치적수량관계,병차비교료불동결심적공서작위다자배적효과.대우급정적설계규칙,비교료불동전조솔츤저재료적CMOS단원중적산쇄효응,결과표명료합리설계가이유효지개선고조츤저적기생산쇄효응.
