发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2012年
1期
32-35
,共4页
光致发光%Ce/Al-SiO2薄膜%缺陷中心%磁控溅射
光緻髮光%Ce/Al-SiO2薄膜%缺陷中心%磁控濺射
광치발광%Ce/Al-SiO2박막%결함중심%자공천사
采用磁控溅射及后退火技术制备了不同组份和不同退火温度的Ge、Al共掺SiO2薄膜.通过对样品的X射线光电子能谱(XPS)测试,确定了薄膜的成分和结构特征；同时还测试了样品的光致发光谱(PL谱),得到了峰值位于420 nm附近的紫光发射峰和峰值位于470 nm的蓝光发射峰.实验结果表明,Al的掺杂不仅可以显著地提高GeNOV中心和SiNOV中心的光发射效率,还可以促进GeNOV缺陷和SiNOV缺陷中心的形成,进而有利于薄膜的光致发光.
採用磁控濺射及後退火技術製備瞭不同組份和不同退火溫度的Ge、Al共摻SiO2薄膜.通過對樣品的X射線光電子能譜(XPS)測試,確定瞭薄膜的成分和結構特徵；同時還測試瞭樣品的光緻髮光譜(PL譜),得到瞭峰值位于420 nm附近的紫光髮射峰和峰值位于470 nm的藍光髮射峰.實驗結果錶明,Al的摻雜不僅可以顯著地提高GeNOV中心和SiNOV中心的光髮射效率,還可以促進GeNOV缺陷和SiNOV缺陷中心的形成,進而有利于薄膜的光緻髮光.
채용자공천사급후퇴화기술제비료불동조빈화불동퇴화온도적Ge、Al공참SiO2박막.통과대양품적X사선광전자능보(XPS)측시,학정료박막적성분화결구특정；동시환측시료양품적광치발광보(PL보),득도료봉치위우420 nm부근적자광발사봉화봉치위우470 nm적람광발사봉.실험결과표명,Al적참잡불부가이현저지제고GeNOV중심화SiNOV중심적광발사효솔,환가이촉진GeNOV결함화SiNOV결함중심적형성,진이유리우박막적광치발광.
