稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2005年
5期
746-749
,共4页
魏芹芹%薛成山%孙振翠%庄惠照%王书运
魏芹芹%薛成山%孫振翠%莊惠照%王書運
위근근%설성산%손진취%장혜조%왕서운
GaN%Ga2O3/Al2O3膜%氨化%磁控溅射
GaN%Ga2O3/Al2O3膜%氨化%磁控濺射
GaN%Ga2O3/Al2O3막%안화%자공천사
研究了Ga2O3/Al2O3膜反应自组装制备GaN薄膜.首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备Ga2O3/Al2O3膜,再将Ga2O3/Al2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜.用傅里叶红外谱仪(FTIR),X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对试样进行结构、组分和形貌分析.通过分析薄膜各方面的性质,得出了用此方法制备氮化镓薄膜的Al2O3缓冲层最佳的厚度为15 nm左右,最佳氨化条件是在900℃下氨化15 min.
研究瞭Ga2O3/Al2O3膜反應自組裝製備GaN薄膜.首先利用磁控濺射法在硅襯底上製備Ga2O3/Al2O3膜,再將Ga2O3/Al2O3膜在高純氨氣氣氛中氨化反應得到GaN薄膜.用傅裏葉紅外譜儀(FTIR),X射線衍射(XRD)和掃描電鏡(SEM)對試樣進行結構、組分和形貌分析.通過分析薄膜各方麵的性質,得齣瞭用此方法製備氮化鎵薄膜的Al2O3緩遲層最佳的厚度為15 nm左右,最佳氨化條件是在900℃下氨化15 min.
연구료Ga2O3/Al2O3막반응자조장제비GaN박막.수선이용자공천사법재규츤저상제비Ga2O3/Al2O3막,재장Ga2O3/Al2O3막재고순안기기분중안화반응득도GaN박막.용부리협홍외보의(FTIR),X사선연사(XRD)화소묘전경(SEM)대시양진행결구、조분화형모분석.통과분석박막각방면적성질,득출료용차방법제비담화가박막적Al2O3완충층최가적후도위15 nm좌우,최가안화조건시재900℃하안화15 min.
